Bi基焦绿石结构陶瓷的介电频率特性

在低频、射频和微波波段频率下,借助HP4192A阻抗分析仪和HP8720ET/ES网络分析仪,对3种Bi基焦绿石结构介电陶瓷材料BZN[(Bi1.5Zn0.5)(Zn05Nb1.5)O7]、BZS[(Bi1.5Zn05)(Zn0.5Sb1.5)O7]和BCZN[(Bi1.5Ca0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7]的介电频率特性进行了分析研究.结果发现:介电常数随着Bi基焦绿石结构中氧八面体间隙增大而增大;从低频到射频,BZN(ε≈160)、BZS(ε≈42)和BCZN(ε≈81)三体系介电常数都较高且很稳定,其介质损耗都很低(Tanδ≈10-4);在微波频段(4GHz)下,介电常数分别约为98.596、30.573和56.451.     

活化对不锈钢着色的影响

活化对不锈钢着色膜的均匀性和耐磨性有重要的影响.为此,研究了6种不同活化方法即HCI室温活化、H2SO4室温活化、H2SO4阳极活化、H2SO4阴极活化、H2SO4高温活化、H2SO4-CrO3阳极活化对不锈钢着色的影响,测定了不锈钢着色的电位-时间曲线,讨论了电位-时间曲线的参数tB与tC的对应关系及其对不锈钢着色质量的影响.结果表明:活化可加快着色过程,有助于获得光亮、均匀、耐磨的着色表面;升高温度有利于活化;阳极电解活化明显优于阴极电解活化;相同浓度的HCI和H2SO4溶液的活化效果相当;10%的H2SO4阳极电解活化的效果最好;可以用tB或tC的大小来表征活化效果及着色的难易程度.     

黄粉虫粗多糖的初步纯化及体外抗氧化活性研究

以黄粉虫粗多糖为原料,通过单因素脱蛋白试验,利用响应面法优化脱蛋白工艺,经DEAE-纤维素阴离子层析柱纯化,对多糖进行体外抗氧化活性分析。结果表明：各因素对黄粉虫粗多糖蛋白去除率的影响程度为：脱蛋白次数>振摇时间>静置时间。当Sevage试剂加入量与粗多糖溶液体积比为1:1时,优化条件为：振摇时间17 min、静置时间19 min、脱蛋白次数2次,蛋白去除率达61.25%。与未除蛋白的粗多糖相比,除蛋白后黄粉虫多糖对DPPH自由基、羟自由基清除能力的IC₅₀减小,分别为3.052、7.276 mg/mL,说明多糖抗氧化活性增强。黄粉虫多糖经不同浓度NaCl溶液梯度洗脱纯化获得4个主要组分,其中0.5 mol/L NaCl洗脱的多糖体外抗氧化性综合能力最强。     

脉冲电场对海水中悬浮颗粒物沉降效率的影响

首次研究了海水中悬浮颗粒物在脉冲电场作用下的沉降效率,并对其影响机理进行了初步探讨.正交试验结果表明:影响海水中悬浮颗粒物沉降效率的因素顺序为脉冲电压、脉冲时间、脉冲处理次数、脉冲频率;且在各因素中较佳的水平条件下,沉降效率可达到86.4%,比未施加脉冲电场时提高近30%.TEM分析结果表明:在脉冲电场的作用下,海水中难沉降的带电荷悬浮颗粒物重新分布其所带电荷并导致偶极化,从而促进了颗粒物之间的凝聚.     

反渗透海水淡化的预处理技术研究进展

本文分析了国内外关于反渗透海水淡化预处理技术的应用研究现状，并对预处理技术的发展趋势做了展望。     

添加Sb2O3对NBT基陶瓷介电和铁电性能的影响

采用传统电子陶瓷的制备工艺,制备出微量BiSbO3固溶的(Na0.5Bi0.5)TiO3(NBT-xBS,x=0~0.03)陶瓷,并对其结构、介电及铁电性能进行了研究。X-射线衍射分析结果表明四种配方均形成了钙钛矿结构晶相。扫描电镜分析显示BiSbO3的引入有助于烧结形成致密的多晶结构。随着BiSbO3固溶量的增加,样品的介电常数减小,而介电损耗基本不变,陶瓷的弛豫性增强,是由于BiSbO3的引入使得晶体结构中A和B位离子排列更加无序造成的。BiSbO3的固溶使NBT仍保持较高的极化强度,矫顽场从7.3 kV/mm降至4 kV/mm,从而在一定程度有效解决了NBT高矫顽场的问题。     

NBT-KBT-BT系弛豫铁电体的弥散相变研究

采用传统压电陶瓷固相合成法制得纯钙钛矿相的(1.002-5x)NBT-4xKBT-(x-0.002)BT(x=0.026,0.028,0.030,0.032,0.034)(简写为BNBKT100x)系弛豫铁电体。通过X-射线衍射(XRD)分析,当x=0.030时为三方、四方两相共存,为该体系的准同型相界。系列样品的介电温谱显示在室温到500℃之间存在两个介电反常峰,分别对应于陶瓷材料的铁电-反铁电-顺电相变。同时发现该系列样品显示出弛豫铁电体特性。并用成分起伏理论解释了这种弛豫弥散相变。     

铋掺杂对铌酸钾钠无铅压电陶瓷结构和性能的影响

用常压烧结法制备铋掺杂铌酸钾钠无铅压电陶瓷(K0.5Na0.5)1-3xBixNbO3(KNBN)。研究不同铋掺杂量对KNN陶瓷结构、形貌、致密度及电学性能的影响。结果表明:在1 120℃烧结的含铋量为1%(摩尔分数)的陶瓷表现出最好的铁电和压电性能及较好的介电性能,即压电常数最大121pC/N,P-E回线形状达到饱和,且剩余极化为12.67μC/cm2,矫顽场Ec为13.58kV/cm,介电常数为575,损耗为5.82%(频率为1kHz)。陶瓷样品在131℃从正交结构转变到四方结构,Curie温度为400℃。     

一种基于FPGA的流水线8051 IP核的设计与实现

给出一种基于FPGA的8051MCU的IP核设计方案,指令集与标准8051系列处理器完全兼容。采用译码——执行两级流水结构,并通过了仿真与综合,理论速度较传统8051MCU有6¹0倍的提升。针对CISC流水线设计的复杂性,提出了一种高效的实现方案,可以使执行结构近满状态运行,且简便有效地解决了传统流水线所必须面对的三种冲突。设计采用Verilog HDL语言描述,并采用ModelsimSE 6.2进行功能和时序验证,将代码下载到Xilinx公司的FPGA上进行物理验证,测试了一个LED流水灯程序,结果表明软核达到了预期的效果。     

钇掺杂调控铌酸银反铁电性与第一性原理研究

基于铌酸银(AgNbO₃)陶瓷材料存在的铁电与反铁电相界,可通过离子掺杂的手段对其进行调控。本文通过水热法制备了A位Y掺杂的Ag_1-3xY_xNbO₃(AN-xY,x=0～0.05)反铁电陶瓷,对微结构、介电,以及阻抗性能进行测试,并基于密度泛函理论的第一性原理计算,探究了AN-xY禁带宽度变化的机理。结果表明,随着Y³⁺掺杂量的增加,AN-xY陶瓷的M₁-M₂相向低温移动,反铁电稳定性增加,阻抗值减小。Y³⁺掺杂所产生的施主能级使电子更容易从价带激发至导带,禁带宽度由1.959 eV减小至1.746 eV。A位Y³⁺的掺杂可以对AgNbO₃的电性能进行目的性调控,对当前AgNbO₃基无铅反铁电陶瓷的研究与微观机理分析具有重要的参考价值。