观察裂纹路径及组织演变的SEM样品制备方法研究

本试验利用SEM和电阻炉研究一种SEM样品的制备方法,用于观察裂纹路径,并分析断裂后的显微组织变化。结果表明:通过浸镀焊锡,能够在不同断裂方式形成的裂纹轨迹上形成一条明显的"纯锡带",呈现出裂纹路径。同时该方法能够观察分析拉伸、冲击、断裂韧性及疲劳断裂等过程中产生的二次裂纹路径及断裂表层下的组织演变。     

温度对破损涂层S135钻杆钢在3.5% KCl溶液中电化学腐蚀行为的影响

基于理论分析和电化学测量技术研究了温度对破损涂层S135钻杆钢在3.5%(质量分数,下同)KCl溶液中电化学腐蚀行为的影响。结果表明:破损涂层钻杆钢的开路电位随温度升高而负移,在40~65℃温度区间,材料热力学状态发生显著变化;整个反应主要受阳极反应控制,腐蚀速率随温度升高先增大后减小,在65℃时达到最大;温度主要通过影响离子传递电荷过程来影响反应的腐蚀速率。     

钢木组合结构研究综述

对比研究了钢结构、木结构的特点,结果表明钢木组合结构在工程应用中更有优势。系统介绍了国内外对钢木组合结构的研究进展,对钢木组合结构的研究现状进行论述,归纳出钢木组合结构有待解决的问题。     

荔枝核淀粉理化特性的研究

利用SEM、X-光射线衍射、Brabender黏度仪、DSC等研究荔枝核淀粉的理化性质。结果表明:荔枝核淀粉颗粒多呈椭圆形或多角形,平均粒径为12.6μm;有明显的黑十字且交叉点在颗粒中心;颗粒晶体结构为C型;起糊温度较高,为85.3℃,热稳定好,有黏度峰值,为177BU;DSC测得T°、Tp、Tc分别为69.04℃、78.79℃、87.08℃,ΔHgel为7.50J/g;支链淀粉、直链淀粉含量分别为88.8%和11.2%。     

表面散射特性光学检测的多波长光纤传感器

论述了一种表面散射特性实时光学检测的光纤传感器。采用650 nm、1 310 nm和1 550 nm激光作为光源,对不同表面粗糙度的样品进行了测试和分析。实验结果表明,采用多波长的复合光源激光光纤传感器能有效地减小测量的非系统误差,从而极大地提高了其测量精度;此外,波长越短,粗糙度越大,散射越复杂。     

构件化农业专家系统的研究与探讨

针对目前传统专家系统各方面存在的缺陷与不足和智能化农业发展的需要,提出了一种针对农业专家系统的构件化的软件实现方案,新的平台本身具有开放的、灵活的体系结构,开发出的专家系统也具有可插拔性、扩展性、移植性、替换性。阐述了构件化技术和农业专家系统以及农业专家系统开发平台,并且在863专家系统开发平台的工作基础和经验总结上,阐述了这种基于集成构件和功能构件的规范化的农业专家系统平台的体系结构,以及构件化的实现方案。     

软化水程控系统的实现

以一个具体的工程为例，介绍了软化水程控制系统的实现方法，包括该系统的组成，功能，以及ＰＬＣ和工控机在系统中的应用，该系统已经在现场投入运行，取得了满意的效果。     

含铅土壤中铅的浸出行为

采用BCR连续浸提法分析含铅土壤中铅的存在形态,通过静态溶浸与动态淋滤试验研究了土壤中铅的浸出行为,结合浸出毒性分析,探讨了添加活性炭对土壤中铅的稳定性影响。结果表明,供试土壤中可交换态铅可转化为可还原态和可氧化态形式存在,活性炭对不稳定态的铅有较强吸附作用。添加活性炭对降低土壤中铅的浸出有一定效果,并且与活性炭性质和淋溶体系pH有关,醋酸体系浸提剂比硫酸体系对铅的浸出浓度影响更大。     

CaF_2透明衬底中生长CdS VPE单晶膜的光学双稳态(英文)

Optical bistability (OB) in semiconductors is of increasing interest in both basic and applied research. Much is known about optical nonlineari-ties and OB in CdS crystals. This paper reports, for the first time, about the optical bistability in CdS single crystal film grown on a CaF2 transparent substrate. High quality of the film has been identified by photolumines- cence and absorption. The OB is measured by 514.5nm line of Ar+ laser modulated into 6ms square light pules at room temperature. Two spikes appear at the front and back edges of transmitted light pulses. The switchins time is about 200μs at 200mW power level, smaller than the time in CdS bulk crystal at the same condition. The mechanism of the OB is due to the increasing absorption and thermal red shift of the absorption edge.