洛惠渠东干渠流泥段治理工程部分渠段滑塌的成因与解决对策

本文根据洛惠渠东干渠多年来的运行实际,分析工程出现滑塌的主要原因,并从工程和管理两个方面提出了解决同题的对策.     

实例谈深基坑开挖施工技术

本文根据多年工作经验,以实际案例,从土方开挖、基坑支护、基坑监测措施等方面,对某深基坑开挖技术进行了分析研究。     

基于体区自适应偏置技术的5G基站射频开关研制

为了解决传统射频开关的芯片面积大、性价比低且集成难度高的问题,研究并设计了体区自适应偏置技术方案,并基于该技术采用180 nm规格SOI(绝缘体上硅)CMOS芯片设计了一种承受功率大、插入损耗低的5G基站射频开关.在基于新技术的设计方案中,取消了开关管体区的偏置电阻.通过并联电容补偿的方式提高输入功率上限,实验结果表明...     

立筒仓混凝土顶盖钢索承载模板支撑系统技术应用

介绍了一种适用于仓储立筒仓混凝土顶盖钢索承载模板支撑系统的技术原理、施工工艺、施工控制要点等系统的施工工法,并为相似工程提供参考。     

等离子体增强原子层沉积AlN外延单晶GaN研究

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有较大的禁带宽度,较高的击穿电场强度、电子迁移率、热导系数以及直接带隙等优异特性,被广泛应用于电子器件和光电子器件中。由于与衬底的失配问题,早期工艺制备GaN材料难以获得高质量单晶GaN薄膜。直到采用两步生长法,即先在衬底上低温生长氮化铝(AlN)成核层,再高温生长GaN,才极大地提高了GaN材料的质量。目前用于制备AlN成核层的方法有磁控溅射以及分子束外延等,为了进一步提高GaN晶体质量,本研究提出在两英寸c面蓝宝石衬底上使用等离子体增强原子层沉积(Plasma-enhanced AtomicLayerDeposition,PEALD)方法制备AlN成核层来外延GaN。相比于磁控溅射方法,PEALD方法制备AlN的晶体质量更好;相比于分子束外延方法, PEALD方法的工艺简单、成本低且产量大。沉积AlN的表征结果表明,AlN沉积速率为0.1 nm/cycle,并且AlN薄膜具有随其厚度变化而变化的岛状形貌。外延GaN表征结果表明,当沉积厚度为20.8 nm的AlN时, GaN外延层的表面最平整,均方根粗糙度为0.272 nm,同时具有最好的光学...     

红树莓果酒主发酵工艺的优化

本文对二氧化碳浸渍法酿造红树莓果酒的主发酵工艺进行了系统的研究。以野生红树莓为原料,安琪高活性葡萄酒用干酵母为发酵菌种,残糖质量分数、酒精度、总酸和感官评价分数为指标;在单因素实验基础上,采用L9(34)正交优化实验,探究出红树莓果酒酿造的最佳主发酵工艺为:pH2.7、发酵温度22℃、初糖质量分数23%、酵母接种量4%。在此工艺条件下主发酵6d,得到红树莓果酒:残糖10.11g/L(以葡萄糖计),酒精度12.0%vol,总酸17.22g/L(以柠檬酸计),感官评分为75.83±3.06;红树莓果酒呈酒红色,澄清透明,有光泽,味纯正爽怡,有清雅果香与和谐酒香。      

对重点项目工程施工管理

大型重点项目工程施工管理,只要坚持"健全机构,重视教育,方案领先、技术引路、科学管理、规范操作"的管理摸式,认真落实施工质量和安全文明管理的各项技术和管理措施,笔者根据多年的工作经验,主要探讨了大型建设项目施工管理经验与方法,与同行商榷。