多晶硅薄膜晶体管自加热效应温度分布的有限元模拟

采用有限元方法模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下器件的温度分布.通过对器件沟道温度分布的稳态及瞬态模拟,研究了器件功率密度、衬底材料类型和器件宽长等关键因素的影响.确认了改善器件自加热退化的有效途径,同时有助于揭示多晶硅薄膜晶体管自加热退化的内在机制.     

一种三轴硅霍尔传感器的研制

介绍了霍尔传感器的工作原理,针对地磁测量的应用制作了基于十字形结构的硅霍尔传感器,并测试了器件灵敏度。测试结果显示灵敏度与器件工作区的掺杂浓度(NS)成反比,与器件十字形结构的长宽比(L/W)成正向依赖关系。详细介绍了磁集中器的原理及集成工艺,测试结果显示制作的器件实现了三轴测量,且三轴输出与理论预期相符。     

湖南山丘区水利建设五十年

湖南省位于长江中游 ,洞庭湖的南面。全省总面积 2 1 1 8万ｋｍ2 (其中山区占 5 1 2 % ,丘陵区占 1 5 4% ,岗地占 1 3 5 7% ,平原占 1 3 1 2 % )。全省 5 0 0 0多万亩耕地有 40 0 0多万亩在山丘区。山区耕地面积分散 ,大部分水低田高。丘陵地区耕地比较集中 ,但大部分水源短缺。全省年均降雨为 1 42 7ｍｍ ,但时空分布不均 ,4～6月雨量多 ,易发生山洪 ;7～ 9月雨少 ,易发生干旱。因此 ,山丘区水利建设既要解决防山洪 ,又要解决防干旱的问题。根据湖南地形条件和气候条件 ,建国以来 ,在水利建设上采取的方针是 :以灌溉为主 ,防洪、灌溉、…     

TSOP封装脱模中硅片碎裂失效的有限元分析

针对TSOP封装在塑封工艺中脱模时可能发生的芯片碎裂,利用有限元法模拟封装脱模过程阐明了芯片碎裂失效的机制.研究表明,模具内表面有机物形成的局部沾污可能阻碍芯片的顺利脱模,导致硅片内产生较大的局部应力并碎裂失效.通过模拟在不同的沾污面积、形状和位置下的封装脱模,确认了最可能导致失效的条件.芯片碎裂失效可以通过使用高弹性模量的塑封料或减小硅片尺寸得以改善.     

一种MEMS体声波硅谐振器的设计

设计了一种基于SOI衬底工艺的MEMS体声波硅谐振器及其制造方法。利用有限元分析软件对该谐振器进行了模态分析,并针对提高品质因数Q,研究了其损耗机制。结果表明：谐振频率可达108MHz,且取决于硅材料特性和器件尺寸,而品质因数则决定于支撑损耗。最后,从振动模态和传输线模型角度出发,提出了减少支撑损耗提高Q值的可行性方法,包括将支撑梁放置在振动节点处、梁长度设置为弹性波长的1/4及在衬底端设置声波反射器。     

苏州三星半导体封装工艺及产品可靠性保障体系

本文首先介绍苏州三星半导体的产品发展趋势和品质保障体系,着重阐述了四个关键封装工艺中的重要特性的管理方法和注意事项。然后介绍了产品可靠性实验的几个主要实验项目的实验目的、实验条件和要求。最后介绍了一些有关最新的无铅产品的可靠性保证方面的内容。     

SOC基于LFSR的混合模式测试

随着集成电路深亚微米制造技术和设计技术迅速发展,系统芯片(SOC)作为一种解决方案得到了越来越广泛的应用。SOC的测试中,内建自测试(Built.In Self-Test,BIST)成为人们研究的热点。文中对SOC的设计特点及其BIST中的混合模式测试进行了探讨。     

湖南省水利水电建设成就与展望

一、概况湖南省位于长江中游南岸,雨量丰沛,光温充足,无霜期长,素称鱼米之乡。在这种特定的自然地理和水文气象条件下,防治水害、兴修水利自古以来就占有重要的地位,历代人民曾为此长期竭力经营,付出过巨大而艰辛的劳动。中华人民共和国建立以来,在历届湖南     

影响ESD荷电器件模型放电电流的关键参数研究

静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标.针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律.根据研究结果可调整相应参数,保证荷电器件放电模型的测试装置符合测试标准.基于LRC放电电路的等效模型,实验结果给出了到满意的定量或定性解释.     

多晶硅薄膜晶体管自加热效应温度分布的有限元模拟

采用有限元方法模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下器件的温度分布．通过对器件沟道温度分布的稳态及瞬态模拟,研究了器件功率密度、衬底材料类型和器件宽长等关键因素的影响．确认了改善器件自加热退化的有效途径,同时有助于揭示多晶硅薄膜晶体管自加热退化的内在机制．