“全国第三届”微波集成电路及工艺学术交流会”征文信息

中国电子学会微波学会“微波集成电路及工艺”专业委员会与MTT—S Chapter IEEEBeiJin Section联合召开,由机电部十三所及泰兴微波器材厂主协办的“全国第三届微波集成电路及工艺学术交流会”,定于1990年10月下旬在河北省承德市召开。为活跃学术气氛望国内同行积极参加和投稿,征文内容如下:一、微波集成电路部分MIC的器件模型及工艺模拟;低噪声、宽带MIC及超宽放大器及其他小功率IC;功率集成放大器、振盈荡器、固态源及其他功率IC:微波通信专用IC;微波集成滤波器、移     

管线钢材X65在水电站压力钢管中的应用

水电站的管线钢一直采用C、Mn、Si型普通碳素钢,其化学成分:C≤0.2%,合金元素≤3%～5%.20世纪70年代初,微合金控轧钢X56、X60、X65三种钢材在石化行业开始广泛采用.这种钢突破了传统钢的观念,碳含量为0.1%～0.2%,在钢中加入≤0.2%的Nb、V、Ti等合金元素,并通过控轧工艺使钢的力学性能得到显著改善.桃花山三级水电站压力管道采用X65钢设计制作,取得成功,具有较高的经济效益,对类似高水头水电站工程具有一定的推广和借鉴价值.     

微带线镀金厚度控制的研究

微带线镀金工艺,因图形细小,控制镀层厚度在要求范围内,有一定困难。本文研究采用:以金的电阻率常数作基础,在镀复过程中,采用随时测量和监控方式,来控制镀层厚度,基本上保证了工艺要求。我们认为该方法对其他类似镀件,也有一定参考价值。现将全文发表,供有关同志参阅。     

钽铝-钽下电极对钽系电容器高频损耗的改善

<正> 钽系薄膜电容器具有高的介电系数和良好的绝缘性能,可与钽电阻使用同样的钽材料,因此它比其它类型的薄膜电容器更受到人们的重视。在国外,用钽系材料已研制成了各种薄膜电容器。例如:用TMM和TLM     

射频衬底偏压溅射TLMM薄膜电容器

在五氧化二钽介质薄膜上复合一层二氧化铅掺杂二氧化锰的半导体薄膜首次制作成功了TLMM薄膜电容器。由于应用射频衬底偏压溅射和Al占93％的钽铝下电极,还应用了在PbO_2中掺杂MnO_2,以及真空充氧热老化等方法,不仅使电容器的损耗角正切值降低至0.1—0.3％(1kHz),而且温度系数也得到了改善。     

高频溅射钛-铜-镍-金薄膜导电系统的研究

本文介绍了一种成本低、稳定性好的钛铜镍金多层复合导电系统,提出了应用连续溅射的方法,探讨了镍层阻挡铜金扩散的作用。     

半导体集成电路在宇宙和核辐射环境中的加固对策

随着人造卫星、航天飞机和洲际导弹的发展,集成电路在宇宙和核辐射环境中的可靠性问题越来越受到重视,本文将对宇宙环境的辐射作一简述,同时讨论了宇宙环境和核辐射情况下集成电路的加固对策。     

由瑞典引进的微正压浓相干式输灰设备简介

介绍了原正压输灰系统存在的问题以及引进瑞典的微正压辖灰系统的结构及性能特点。