织构对铟凸点剪切强度的影响

制作了2种形式的铟凸点：即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球。同时对比了铟柱和铟球2种凸点的剪切强度，测试结果表明铟球剪切强度为5.6MPa，铟柱的剪切强度为1.9MPa，前者约为后者的2.9倍。对铟凸点微观结构的X光衍射分析发现：铟柱剪切强度低是织构弱化所致；铟球剪切强度高是由于回流破坏了铟柱的理想（101）丝织构模式，从而提高了铟球的剪切强度。     

氮气氛下LTCC基板Cu共烧金属化研究

从PMMA型LTCC素坯膜的制备和PMMA的排胶机理两方面，研究了LTCC基板Cu共烧金属化。结果表明，采用PMMA作为粘结剂的流延浆料具有剪切变稀行为，所得的流延坯膜微观组织均匀，叠压后坯体内部无分层现象。热失重、差热和傅立叶红外光谱联用分析结果表明高纯N2气氛中PMMA以解聚机理热解，热解后释放的主要产物为丙烯酸甲酯。在高纯N2气氛中LTCC与Cu共烧后Cu金属化膜平整、致密，连通良好。经测试，基板表面Cu导体方阻小于5mΩ/□。     

Pb/Sn凸剪切性能研究

在实际使用条件下,Pb/Sn凸点会由于承受温度循环而产生剪切应力,剪切应力导致的主要失效方式是开裂.通过对倒装焊后Pb/Sn凸点剪切强度的测量及对剪切后断口的分析,发现破坏主要发生在凸点下金属(UBM)层内部或UBM与Al焊盘之间,平均剪切强度受凸点尺寸影响很小,范围在21～24MPa。     

柔性投影显示屏增塑机理及规律的研究

柔性投影显示屏具有可弯曲、易携带、耐冲击等优点,用途非常广泛。对柔性投影显示屏的增塑机理进行了研究,找出了增塑剂邻苯二甲酸二丁酯合适的添加量,发现了增塑剂含量与塑性-脆性转变规律,为制备柔性投影显示屏提供了理论依据。     

FeCl_3溶液中影响Cu蚀刻速度的因素

采用喷蚀的方法,研究了Ｃｕ在２．５ｍｏｌ／ＬＦｅＣｌ３溶液中影响蚀刻速度的几个因素。用ＸＲＤ方法分析了Ｃｕ蚀刻表面的成分,证实了蚀刻过程中ＣｕＣｌ钝化膜的形成;研究了蚀刻速度随蚀刻时间的变化规律,给出了初步的解释;同时研究了蚀刻液中不同氯化物添加剂对蚀刻速度的影响,结果表明阴离子不是影响蚀刻速度的唯一因素,不能排除阳离子的影响;同时对蚀刻液的溶铜能力及失效蚀刻液的再生进行了初步的研究。     

混合集成电路铜功率外壳气密性失效分析

玻璃封接金属管壳是集成电路封装中的1类主要组件，该管壳是将玻璃与可伐合金封接而成的绝缘子钎装在铜管座上制成的。本文研究了PM型混合电路铜功率外壳气密性失效问题，产品高温老化后，气密性可由10^-8Pam^3／s降到10^-5Pam^3／s。结合对失效产品的解剖，以及与国外不漏气的同类型功率管的对比分析，分析了影响玻璃封接金属管壳气密性的因素以及生产工艺对封接质量的影响，提出若干改进建议，并指出提高产品质量的有效途径。     

低温共烧陶瓷发展进程及研究热点

低温共烧陶瓷(LTCC)是现代微电子封装中重要的研究分支,主要用于高速、高频系统。介绍了低温共烧陶瓷的发展历程及其中包含的若干重大研究热点,如铜布线工艺、收缩率匹配、LTCC散热等。     

金/铁合金体系的表面扩散研究

引言金的化学惰性和良好的焊接特性使其在电子工业中得到广泛的应用,例如半导体器件的内外引线经常采用镀金层以保证良好的电接触性能和抗腐蚀性。镀金层的质量与器件可靠性密切相关。目前国产半导体器件的金层保护性能较差,由此而引起的管腿断裂,可焊性差等问题都尚未解决。因此对于高可靠性(high reliability)器件来说,它已成为影响其性能的主要因素之一。     

Mn-Co-Ni红外探测器As-Se光学薄膜制备及性能研究

采用真空热蒸发方法,在Ge基底上沉积As-Se光学薄膜(下述简称薄膜),考察薄膜中As含量对于薄膜软化点、14~16μm红外波段折射率及透射率的影响。通过XRF分析薄膜组成,并通过DTA及维卡法分析薄膜软化点,利用PE Spectrum100型红外光谱议,分析薄膜在14~16μm波段的透射率,利用红外干涉仪分析折射率。结果表明,As-Se薄膜制备过程中的元素损失较小,薄膜软化点随薄膜As含量不断升高,薄膜在14和16μm波段的折射率随As含量增大而增加,透射率随As含量增大而减小,中心波段透射率超过55%。