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以多晶硅电池管式等离子增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)工艺对组件电势诱导衰降(potential induced degradation,PID)的影响为研究对象,进行了实验验证分析,研究结果表明:多层膜比单层膜的抗PID性能好,去除预淀积步骤可以明显改善抗PID性能,膜厚一定时,折射率尤其是接触硅片子层的折射率越高,抗PID性能越好;折射率一定时,膜厚尤其是接触硅片子层膜越厚,抗PID性能越好.通过优化多晶硅电池管式PECVD工艺参数,可以提升组件抗PID性能. 相似文献
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本文对采用管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积的氮化硅与氮氧化硅(SiyNx/SiOxNy)叠层膜进行了实验研究,结果表明:在硅片正面镀膜时增加SiOxNy膜层,既可以增强正面的钝化效果,还可以降低对光的反射率,增加光吸收率,从而提升太阳电池的短波响应能力,通过对膜层组分和反应气体流量等工艺参数进行匹配优化,使太阳电池的光电转换效率提升了0.07%;利用SiyNx/SiOxNy叠层膜抗氧化、抗钠离子的特性,使太阳电池的抗电势诱导衰减(PID)性能提升了22%。 相似文献
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河南五岳抽水蓄能电站利用已建的五岳水库作为下水库,在抽水蓄能电站可行性研究阶段,根据水库的实际运行情况及监测资料,全面评估除险加固的效果,经对水库饮用水源区进行有效保护、汛期防洪的优化调度及灌溉渠道防渗等工程措施,避免饮用水污染、占用灌溉水源,充分利用水库汛期弃水作为电站取水,为工程顺利获得核准批复和开工建设,奠定了坚实的基础。 相似文献
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“PERC+SE”单晶硅太阳电池制备过程中,相较于传统的酸抛工艺,在碱抛光工艺之前(即氧化环节)先要制备氧化层SiO2膜作为掩膜,以保护硅片正面。目前,行业内主要有2种制备SiO2膜的方式,一种是采用管式扩散炉,另一种是采用链式氧化炉。从实际应用来看,相较于管式扩散炉,链式氧化炉的生产线兼容性更好,产能也更高;而从理论上来看,管式扩散炉比链式氧化炉制备的SiO2膜更加致密,膜层对掺杂区域的保护也更好。对于这2种设备,从制备的SiO2膜厚度,硅片氧化前、后和碱抛光后的方块电阻变化,以及制得的“PERC+选择性发射极(SE)”单晶硅太阳电池的电性能3个方面进行详细对比。结果显示:管式扩散炉与链式氧化炉制备的SiO2膜对SE激光重掺杂区域的保护效果略有差别,但对太阳电池电性能的影响较小,可忽略。因此,结合生产线兼容性及产能情况,链式氧化炉比管式扩散炉更具有推广优势。 相似文献
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