PDM1kW中波广播发射机射频链路常见故障分析

为了有效保证广播电视系统的正常工作,发射机必须时刻保持较好的工作状态,这对其硬件性能提出了较高要求。作为PDM 1 kW中波广播发射机的关键部件,射频链路在节目内容安全播出过程中发挥着重要作用。通过研究PDM 1 kW中波发射机的工作原理和射频链路组成,结合射频组成技术原理深入探析其常见故障原因并给出处置策略,为相关人员提供参考。     

计算机辅助箱座类零件工艺过程自动设计

ＴＨＦＣＡＰＰ系统是笔者采用成组技术原理和专家系统技术开发的箱座类零件ＣＡＰＰ－ＣＡＭ集成设计系统的一个子系统。本文介绍了本系统各模块的功能和设计思想，并对箱座类零件工艺过程自动设计中的几项主要技术进行了探讨。     

院士在淮河起步

我和曹楚生老师结束50年代治理淮河时期的共事合作,近半个世纪了。但是,我们之间的联系和合作,并没有中断。2000年春节前,我和曹总为了“佛子岭、磨子潭混合式抽水蓄能电站的方案研究”,在合肥市的旭日宾馆,促膝长谈、抵足而眠。 曹总于1948年毕业于上海交通大学土木工程系结构专业,毕业后,执教于交大。在抗美援朝的火热战争时期,1950年淮河流域发生了特大洪水灾害,周总理主持成立治淮委员     

耐酸性荧光增白剂在棉织物上的应用

本文比较了增白剂4BK，Argaphor MST liq.,Argaphor RSB liq.的色光、白度、耐酸性等应用特性，说明Argaphor MST liq.和Argaphor RSB liq.有良好的耐酸性和应用性能。     

箱座类零件自动编程系统的形面描述与信息处理

箱座类零件的形面描述与信息处理问题是 CAPP—CAM 系统的难点和关键问题之一,直接影响了工艺过程设计和 NC 自动编程的水平和质量。本文作者在对某纺织机械厂箱座类零件形面特征进行统计分析的基础上,提出了一种基于细节,以面为主,体面合一的形面描述方法,并且建立了相应的公共数据信息库。这种方法可同时满足工艺过程编制,工时定额制定和 NC 自动编程对于数据信息的需要,并且可提高信息的准确性和可靠性。这种方法已在 TFCAPP—CAM 系统中得到应用,取得良好效果。     

佛子岭和梅山连拱坝基础运行中的工程地质问题与加固处理

佛子岭和梅山两座连拱坝(坝高分别为74米和88米)是建国初期建成的,二十多年来,在防洪、灌溉、发电、航运、渔业等各方面发挥了巨大的效益。运行情况表明,两座坝混凝土工程的质量是良好的;但是,由于当时对坝基存在的工程地质问题认识不足,在施工时,没有进行适当的处理,运行     

淮河中游四座水电站大坝完成首次安全定期检查

拦河大坝是高坝式水电站的主要组成部分,为了确保大坝安全,水电部于1987年颁布了《水电站大坝安全管理暂行办法》。该办法规定,对水电站大坝要分别进行:日常巡查、年度详查、定期检查和特种检查等四种不同深度的检查。定期检查5～10进行一次,如发生特殊问题影响大坝安全,则应进行特种检查。 水电部于1988年发布了《水电站大坝安全检查施行细则》。该细则规定:安全定期检查由主管单位(或业主)组织对大坝的设计、施工和运行具有丰富经验的水工、机电、水文、地质工程师组成检查组,检查组的任务是全面审查有     

斜轴轴伸泵水力模型装置试验通过专家鉴定

由水电部水科院水力机电研究所,江苏农学院机电排灌工程研究所和淮委规划设计院等单位共同协作,经过三年多的努力,成功地研制出一种新的泵型——斜轴轴伸式泵。由水电部科技司、农水司及淮委组织三十多位专家对该泵模型性能进行技术鉴定后认为,这种斜置轴伸式泵结构简单,安装、维修方便,是超低扬程大流量泵的一种理想形式。     

聚合物半导体PAn/Si异质结(英文)

The P type semiconducting polymer polianiline (PAn) films have been prepared on n and p type si chips by photo-electrochemical and electrochemical polymerization, and so the semiconducting polymer PAn/silicon heterojunctions have been fabricated. The I dark-V and I photo-V curves, as well as C-V curves at different frequencies have been measured and the energy band diagrams, the distributions of impurity density and the interface states have been analyzed for the heterojunctions. It is demonstrated experimentally that the n-p Si-PAn heterojunction possesses fine photoelectrical characteristics.