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1.
采用Ge/Pd/GaAs结构和快速热退火在n-GaAs上形成了低阻欧姆接触,利用二次离子质谱技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用X^+和GsX^+信号检测的Ge,Pd,Ga和As的深度分布。结果表明采用CsX^+可以提供更准确的结果和成分信息。 相似文献
2.
Co-Si多层膜在稳态热退火中的固相界面反应 总被引:1,自引:1,他引:0
超高真空条件下,采用电子束蒸发工艺在Si(111)衬底上交替蒸镀200A的Co和Si薄膜形成多层膜结构,在恒温炉中作稳态热退火,然后用XRD、RBS及AES等技术作分析,研究了Co-Si多层膜固相反应的相序,用四探针测量了反应生成的钴硅化物的电阻率。结果表明,随着退火温度的升高,淀积在Si(111)上的Co膜逐步转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,最后完全转化为CoSi_2。在比单层膜低得多的温度下退火获得了电阻率较低、表面形态良好、晶粒很大的CoSi_2薄膜材料。 相似文献
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采用Ge/Pd/GaAs结构和快速热退火在n-GaAs上形成了低阻欧姆接触。利用H次离子质谱(SIMS)技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用X 和CsX 信号检测的Ge,Pd,Ga和As的深度分布。结果表明采用CSX 可以提供更准确的结果和成分信息。 相似文献
4.
利用X射线光电子谱和原子力显微镜研究经气要和溶液钝化的InP表面的化学键合、表面残余氧含量、表面刻效应和粗糙度。结果表明,采用气相多硫化物钝化可以获得均匀、光滑和可重复的表面质量,但其热稳定性不如溶液多硫化物钝化的InP表面好。 相似文献
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6.
通过对天津市通南桥工程栈桥搭设两种施工方法的分析和比较,从施工工艺、工期,满足钢箱梁现场安装和成本考虑来确定最佳施工方法. 相似文献
7.
本文利用俄歇电子谱(AES)、X射线衍射(XRD)和电学测量等方法研究了原位掺杂多晶硅/CoSi_2/Si_(衬底)多层结构在700—900℃的温度范围内在惰性气体和真空中进行热处理的稳定性.结果表明,当退火温度低于 850℃,这种结构有良好的热稳定性.当温度高于 850℃,多晶硅与硅化物间将发生互扩散和界面反应.随着退火温度升高,在惰性气体的气氛中,CoSi_2迁移到表面层,而硅外延生长在硅衬底上,形成 CoSi_2/Si 双层结构;在真空中热处理仍可保持 poly-Si/CoSi_2/Si 三层结构. 相似文献
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本文研究了硼磷硅玻璃(BPSG)膜在俄歇电子谱(AES)分析中电子束和离子束辐照效应.结果表明,能量电子和离子非常容易引起辐照损伤.电子束辐照会引起还原和脱附效应以及磷硼的表面分凝;离子束辐照仅仅引起还原效应,不会产生磷和硼的表面堆积现象.这说明磷和硼的表面分凝是与低能电子组成的表面负电荷有关. 相似文献
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在SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层绝缘材料的俄歇分析中往往给出一个错误结果,即在SiO_2/Si界面处产生一厚度为数nm的附加富氮层。研究结果表明,该层的产生是由电子束和离子束辐照引入。减少电子束流密度会使这一附加层厚度减少甚至完全消失。最后,对这一电子束和离子束效应引起氮界面堆积的产生和消除进行了讨论。 相似文献