按照市场经济体制的要求改革电梯标准化工作

全国电梯标准化技术委员会(SAC／TC196)从1992年组建至今已经是第三届了，经过了12年的努力，我们转化采用了最主要的国际标准和国外先进标准，初步理顺了我国电梯标准化体系，积极参与了国际电梯标准化工作，为了促进行业的技术进步积极进行了许多标准修订和解释工作，成绩是显著的。这些成绩的取得，首先     

中国电梯协会第七次会员大会工作报告

各位理事，各位会员代表：中国电梯协会第七次全体会员大会今天正式开幕。这次大会要总结5年来行业的发展和协会的建设，讨论面临的问题和今后的工作重点，同时经住房和城乡建设部人事司批准，要按照协会章程的规定，选举新一届理事会。下面我代表第六届理事会做总结汇报，请大家审议。     

电梯如何保证乘客安全

电梯是在垂直方向上的交通工具。尽管在此之前升降装置已经使用了多年，但电梯界都认为电梯是美国的OTIS先生于1853年发明的。这是因为是OTIS先生首先给钢丝绳悬挂的升降机加装了一个安全装置，使其变成了电梯。所以，电梯自发明之日起就已打上了安全标记。今天的电梯其安全性与150年前已经无法相比了，据有     

低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究

在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120Oe时,GMR芯片的矫顽力可以降至0.2Oe以下。同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型,用以解释这一退火效应。利用Mat-lab计算GMR芯片的Meff-H曲线,所得到的计算结果与实验结果一致。所以,自旋阀自由层易磁化轴的方向与GMR磁传感器的性能有着密切的关系。     

热稳定自旋阀磁传感器及其性能优化研究

对一种Ta/NiFeCr/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta结构的顶钉扎自旋阀进行了优化。对自旋阀各层材料在整个结构中所起的作用进行了分析,并通过实验,研究自旋阀中每一层的厚度对磁电阻变化率(MR)的影响。最终得到了在80℃下磁电阻变化率高达10.5%的GMR自旋阀。     

磁控溅射法制备IrMn顶钉扎自旋阀研究

通过高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃和硅上淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜。通过结构的改善和工艺条件的优化,自旋阀的磁电阻率达到9.12％,矫顽力为1.04×(10~3/4π)A/m。研究了Ta缓冲层厚度(小于6nm)对晶格结构和自旋阀性能的影响。结果表明,Ta为3nm时自旋阀磁电阻率最大,而矫顽力随着Ta厚度增大而减小。利用CoFe/Cu/CoFe SAF结构替换掉与IrMn相邻的CoFe被钉扎层,使交换偏置场从原来没有SAF的180×(10~3/4π)A/m上升到600×(10~3/4π)A/m左右,且交换偏置场随着SAF结构中两层CoFe的厚度差减小而增大。研究了RIE对自旋阀性能的影响,发现2min的RIE能使矫顽力减小33％,而磁电阻率几乎不受影响。     

硅基衬底Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜制备的Sol-gel新方法

介绍了一种改进的制备压电厚膜的sol-gel新方法,通过添加聚乙烯吡咯烷酮(poly vinyl pyrrolidone,PVP)来抑制厚膜中裂纹的产生.文中讨论了最大无裂纹膜厚与PVP摩尔比及热处理的关系,并给出了BST的SEM显微照片.     

MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法

针对超声换能器阵列中阵元密度难以提升和工艺重复性差等问题,提出了一种基于硅-硅键合技术的MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法,并采用该方法制备了阵元间距小至150μm的密排二维换能器阵列。阵列中每个声学单元均为由上电极、压电材料(PZT)层、下电极和支撑层组成的多层膜结构,并通过其弯曲振动模式实现超声波的发射和接收。制备样品的测试结果表明,采用该方法制作MEMS压电超声换能器阵列,具有阵元间距小、工艺流程可靠、成品率高、一致性好、工作频率(2.45MHz)与设计值(2.5MHz)的吻合度高等优点,适用于医学成像等高频超声成像系统。