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一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC 0.18μm CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25~115℃温度范围内电路的温漂系数为9.69×10-6/℃,电源抑制比达到-100 dB,电源电压在2.5~4.5 V之间时输出电压Vref的摆动为0.2 mV,是一种有效的基准电压实现方法. 相似文献
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