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1.
本文利用震动磨对羟基磷灰石进行超细粉碎,优选出震动磨超细粉碎的最佳工艺条件。利用震动磨研磨可以得到粒度分布单一的粉体样品,D50为2.001μm。 相似文献
2.
吴澜 《常州信息职业技术学院学报》2003,(Z1):20-21,42
高等职业技术教育是技术应用型教育,与本科教育有显著的区别.高等职业技术教育的特色,主要表现在与社会、经济紧密的联系,不断主动适应区域经济和社会发展的需要.在高等职业技术教育中应树立科学的人才观、正确的教学观,培养学生的创新能力,注重现有教师的培养,加快实现教育手段的现代化,深入开展教育科研和教学改革,促进高职的建设和发展. 相似文献
3.
以微米硅(Si)和纳米碳黑(Cp)粉体为主要原料,采用经机械化学法合成的碳化硅(SiC)和15%和25%的纳米碳颗粒与碳化硅(Cp-SiC)的复合粉体,并经无压烧结得到了Cp/SiC陶瓷基复合材料,分析了在不同温度条件下Cp/SiC烧结体的氧化行为。结果表明:当温度小于700℃时,Cp/SiC复合陶瓷在空气中的氧化受C—O2反应控制,致使其为均匀氧化;700℃时,氧化后的复合材料显气孔率最大,弯曲强度达极小值;大于700℃,氧化过程受O2的气相扩散控制,呈非均匀氧化;700~900℃之间,O2通过微裂纹的扩散控制着Cp/SiC的氧化过程;900~1 100℃之间,O2通过SiC缺陷的扩散控制着Cp/SiC的氧化过程,并在1 000℃时的最初的2 h内,复合材料弯曲强度增大,且达到了极大值。同时表明,纳米碳含量是影响复合材料强度及氧化行为的关键因素,添加纳米碳质量分数为15%的Cp/SiC复合陶瓷可以作为一种抗氧化性能优良的玻璃夹具材料。 相似文献
4.
以AlN、Pr2O3做为SiC陶瓷液相烧结的复合助剂,选定不同的助剂含量(5wt%~ 20wt%)和不同的助剂摩尔比例(Pr2O3/AlN=1/3、1/1、3/1),在1800~2000℃温度下,采用热压和无压烧结的方法制备SiC陶瓷样品,并对这些陶瓷样品的性能进行了研究.实验结果表明,助剂比1/3组的样品显示出更有效地促进SiC陶瓷致密化,该组样品无压烧结最大相对密度为87%,热压烧结具有最高的相对密度96.1%、维氏硬度23.4 GPa、抗弯强度549.7MPa、断裂韧性5.36 MPa·m1/2,显微结构中可观察到晶粒拔出现象,断裂模式为沿晶断裂. 相似文献
5.
采用无压烧结,以AlN与Y2O3的摩尔分数为60%∶40%作为烧结助剂进行碳化硅液相烧结,得到致密的烧结体。研究不同添加剂含量和不同保护气氛对烧结工艺的影响,并对烧结体的显微形貌和相进行分析。结果表明,高烧结助剂含量可在较低温度下实现致密化,但高温下液相挥发导致密度降低。与氩气作为保护气氛相比,氮气可抑制氮化铝的分解反应,有利于烧结。烧结体的晶粒均匀、细小,第二相均匀分布。烧结体的主相为6HSiC,并有氧氮化物的生成。 相似文献
6.
7.
8.
9.
通过在1680℃热压烧结,氮和氩2种气氛下制各了SiC-Si3N4-Y2O3陶瓷材料样品,并采用X射线衍射仪分析了样品的相组成.结果表明:在SiC-Si3N4-Y2O3样品的系统中,除了SiC和Si3N4共存外,还生成了si3N4·Y2O3(M),Si2N2O·Y2O3(K)和Si2N2O·2Y2O3(J)相.SiC和Si3N4都分别同这3相共存.Si2N2O组分的引入使系统扩大成为SiC-Si3N4-Si2N2O-Y2O3四元系.在此四元系统中分别确定了3个相容性四面体,即,SiC-M-K-J,SiC-M-J_Y2O3,SiC-Si3N4-M-K(N2气氛)或SiC-Si3N4-M-J(Ar气氛).随着样品中配置粉料的氧含量和高温氛围氧分压的影响,SiC和Si3N4将依含氧量由低到高的顺序M,K,J,Y2O3,分别有选择性地与三相处于平衡.提出了SiC-Si3N4-Y2O3三元系统和SiC-Si3N4-Si2N2O-Y2-O3四元系统亚固相图. 相似文献
10.