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采用金属辅助化学刻蚀法和水热法制备了Si纳米线/ZnFe2O4/AgBr复合光催化剂，考察了Si纳米线/ZnFe2O4/AgBr在磁场作用下的光催化性能。结果表明：Si纳米线/ZnFe2O4/AgBr复合光催化剂在未使用HNO3溶液浸泡且无磁场作用时的光电流密度为0.25 mA/cm2,开启电压为0.4 V;Si纳米线/ZnFe2O4/AgBr复合材料在合成时表面会产生Ag,采用HNO3溶液将其浸泡除去Ag,浸泡后光电流密度为0.07 mA/cm2,相比于未使用HNO3溶液浸泡时的光电流密度明显下降，这是由于Ag具有传输电子与空穴的能力，可加快ZnFe2O4和Si纳米线间光生电子和光生空穴对的分离，从而提高光电流密度；当外加80000 A/m磁场时，其光电流密度... 相似文献
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