运输问题的简便解法——匈牙利法的推广使用

匈牙利方珐是匈牙利数学家弗洛德创造的,它对于解分配问题是非常简便的,也能用于运输问题。本文将匈牙利法推广到运输问题上去,方法比较简便.     

求常系数线性微分方程通解的降阶方法探索

对于 n 阶常系数线性微分方程,若 r_0是所对应的特征方程的 K 重根(1≤k≤n),作变换y=e~ro~zz 代入原方程,使其化为 n-k 阶微分方程,起了降阶作用.本文给出了求常系数线性方程通解的降阶方法.     

PWT外自动根焊工艺的应用

介绍了从意大利PWT公司引进的PWT-CWS.02NRT管道全位置自动焊机的组成、工作原理及技术工艺特点,PWT外自动根焊克服了内自动根焊仅适用于固定管径的缺点。结合辽河油田油建二公司对该套设备在西气东输工程中的使用情况,总结了PWT外自动根焊操作要点及施工中的注意事项,对根焊过程中产生的缺陷进行了分析,并提出了处理措施,可供管道焊接技术人员参考借鉴。     

低温烧结制备BaO-Nb2O5系微波介质陶瓷及性能研究

通过控制原料配比及添加不同成分的添加剂,在较低温度下采用固相烧结法合成了BaO-Nb2O5系微波介质陶瓷。通过改变原料配比及添加B2O3、CuO等添加剂,该类陶瓷的烧结温度可降至850℃左右。改变粉料的预烧温度也使得微波介质陶瓷的最终性能有一定的改变。结果表明,BaO:Nb2O5(摩尔比)为2.42:1的粉体经过1000℃预烧后,添加一定量的添加剂可在875℃下烧成,并具有如下微波介电性能:εr为41.23,Q×f为21500GHz,τf为6.2×10-6℃-1;实验证明该类陶瓷满足低温共烧陶瓷(LTCC)的工艺要求并可以与银电极共烧。     

低温共烧陶瓷工艺制备EBG定向天线

通过低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制备出禁带位于超宽带(UWB)范围的电磁波禁带(EBG)天线陶瓷基板,其电磁波禁带位于4.0~5.5 GHz。在基板上制备了片式天线,在微波暗室中对天线方向性进行测试。结果发现,与没有EBG结构的片式天线相比,其在H面主瓣方向上的增益提高了约4 dB,背瓣方向辐射强度平均降低了10 dB左右,证明EBG结构能够有效改善天线在空间辐射的方向性。     

电磁波带隙材料的低温共烧陶瓷技术制备及性能

根据共面紧凑型光子晶体的原理和HFSS仿真结果设计了禁带位于超宽带(UWB,3.1～10.6 GHz)范围的EBG(电磁波带隙)结构,然后采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制备出了设计的EBG结构。利用光学显微镜和扫描电子显微镜观察了所制EBG结构的微观结构,结果显示烧结体中陶瓷与银电极结合良好。另外,经HP8720ES矢量网络分析仪测试发现其电磁波禁带位于4.0～5.5 GHz,深度大于20 dB。     

低温共烧陶瓷工艺制备EBG定向天线

通过低温共烧陶瓷( LTCC)工艺制备出禁带位于超宽带(UWB)范围的电磁波禁带(EBG)天线陶瓷基板,其电磁波禁带位于4.0～5.5 GHz.在基板上制备了片式天线,在微波暗室中对天线方向性进行测试.结果发现,与没有EBG结构的片式天线相比,其在H面主瓣方向上的增益提高了约4dB,背瓣方向辐射强度平均降低了10 dB左右,证明EBG结构能够有效改善天线在空间辐射的方向性.