注C~＋硅多孔结构的蓝光发射

对单晶硅进行Ｃ＋注入，注入能量为５０ｋｅＶ，注入剂量为１e１５～１e１７／ｃｍ２．在Ｎ２中经９５０℃退火１小时后，注入层形成尺寸为１～３μｍ的β－ＳｉＣ沉淀．进而采用电化学腐蚀方法将样品制成多孔结构．在紫外光激发下，样品可以发射强度较大的蓝光，光强是通常多孔硅的数倍以上，谱峰处于４８０ｎｍ和５０５ｎｍ附近．这一方法简便有效地实现了硅基材料的蓝光发射．     

硅基多孔U-SiC薄膜的电致发光及其机理分析

单晶硅中注入高剂量的Ｃ＋离子,注入能量为５０ｋｅＶ,经高温退火后形成β－ＳｉＣ沉淀,再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ,样品表面蒸上一层半透明的金膜,在正向偏压高于２５Ｖ时,可以获得波长约为４４７ｎｍ的蓝光发射,而且该蓝光发射随着电压的升高而增强．文中还将多孔β－ＳｉＣ薄膜的电致发光和其光致发光进行了比较,并讨论了其发光机理     

基于联咔唑为骨架的双极主体材料的合成及其在有机电致发光器件中的应用

咔唑类衍生物具有良好的空穴传输性能和较高的三重态能级,在有机电致发光器件中一般用来构建空穴传输材料和主体材料。本文通过在联咔唑的3和6位引入具有电子传输能力的氰基,设计合成了一种以双咔唑二聚体为分子骨架的新型双极性有机电致发光主体材料6,6′-双氰基-9,9′-二苯基-3,3′-联咔唑(BCzDCN),研究了其发光性能、热稳定性和电化学性质。低温磷光发射光谱测试表明BCzDCN的三重态能级高于传统的天蓝色磷光掺杂材料双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2′)吡啶甲酰合铱(FIrpic)。以BCzDCN为主体材料,FIrpic和双(4-苯并噻吩[3,2-C])吡啶-N,C2′)乙酰丙酮合铱(PO-01)分别为蓝色和黄色磷光掺杂材料,制备了蓝色和白色有机磷光发光二极管器件。器件的最大电流效率分别达到34.6cd/A和59.0cd/A。并且在1000cd/m2亮度下的效率滚降仅有4.1%和5.1%。     

硅基纳米SiC的制备及其微结构分析

在室温下将C+注入硅衬底，注入能量和剂量分别为50keV，2×1016cm－2．经高温退火形成，β-SiC颗粒沉淀．用傅里叶变换红外吸收谱，光电子能谱以及高分辨率透射电镜对注入样品中的纳米β-SiC及其微结构作了分析．     

注Si~＋热氧化SiO_2薄膜的蓝光发射及其退火特性

对单晶硅片上热生长的ＳｉＯ２薄膜注入Ｓｉ＋，注入能量为１２０ｋｅＶ，剂量为２e１６ｃｍ－２．在～５．０ｅＶ的光子激发下，注Ｓｉ＋氧化膜可生产～２．７ｅＶ的蓝光发射．在退火处理中，发光强度先随退火温度上升而增大，在５００～６００℃时达到最大值，此后逐渐减小．这种蓝光发射是由于注入的过剩Ｓｉ引起氧空位缺陷而产生的．     

硅基双色发光图形的研制

本文提出一种制作硅基发光图形的方法，利用SiO2作掩膜，通过C+离子选区注入，退火处理及电化学腐蚀，使样品的单晶区形成多孔硅红-绿色发光区，注C+区域形成多孔SiC的蓝光发射区域，构成双色发光图形．     

硅基SiN_xO_y∶C~+薄膜的光致发光

采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约１２０ｎｍ的ＳｉＮｘＯｙ薄膜，并在薄膜中注入Ｃ＋，注入能量为３５ｋｅＶ，剂量为５×１０１６ｃｍ－２．注Ｃ＋样品在４４１．６ｎｍ的蓝光激发下，可以产生峰值约为５５０ｎｍ的光致发光．样品经６００℃退火后，发光强度达到最大．     

脉冲激光沉积硅基二氧化硅薄膜的蓝光发射

用准分子激光在含氧气氛中对硅靶材料进行反应剥离，并让反应生成物沉积在单晶硅片表面上．用Ｘ射线光电子能谱、透射电镜分析，以及光致发光谱等方法对沉积的薄膜进行研究．结果显示，形成的薄膜是非晶态的二氧化硅组分，并且在其中含有少量的微米量级的多晶硅颗粒，在４４０ｎｍ附近的蓝光范围内有一光致发光带，初步认为它是由形成的二氧化硅中的氧空位缺陷引起的     

可见光到近红外Ⅱ区内宽领域可调发射的芘基共晶（英文）

有机材料的可变发光在波导和显示应用方面具有广泛的潜力.然而,基于单一有机分子体系实现从可见光到近红外区域的大范围发光调节仍然是一项挑战.本文介绍了一系列基于芘的同构共晶体,可提供从可见光到近红外Ⅱ区的可调发射.它们的能级是通过引入电荷转移和无氟芳烃-全氟芳烃相互作用而定制的.令人印象深刻的是,这项工作中的有机微晶可以成功地应用于微观层面的多色波导以及宏观层面的二维码显示,为先进的光子学开辟了新的道路.这项工作为获得400至1100 nm的有机晶体提供了一种简单而有效的方法,从而为制造多种光电子学的核心材料提供了可能性.     

一种简便有效的多孔硅后处理新方法

本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指数衰减后线性增长，在真空（约１Ｐａ）中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点．通过样品的傅里叶变换红外吸收（ＦＴＩＲ）谱的测试与分析，表明后处理在样品表面产生了ＳｉＨ（Ｏ３）、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ和Ｓｉ３Ｎ４三种提高ＰＳ的ＰＬ强度和稳定性的优质钝化膜