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排水管线设施普查项目往往时间紧、任务重,济南市通过开展小区院落排水设施普查,摸清小区院落排水系统运行状况,掌握济南市排水系统基础资料,项目涉及范围约800 km2。为科学合理地进行任务调度并提高普查效率,建立了调度指挥平台和移动端采集系统,实现了项目实施过程中对任务分配、班组调度、数据采集、进度监控、成果汇交、工作量统计等全流程的一体化管理方案,并取得了预期成效,有效推动了小区院落排水设施普查实施过程中调度指挥的科学化、管线采集的信息化,并提高了普查效率和成果质量。 相似文献
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群6井泥盆系东河塘组下段砂岩主要为极细砂质细粒、细粒岩屑石英砂岩,砂岩成熟度较高,总体为一套低孔低渗储层。储层厚度大,但非均质性强。根据岩心和镜下对纹层的目估,砂岩中致密和较致密的纹层密度最多达100个/m以上。影响储层非均质性的因素除了压实作用、溶蚀作用之外,储层微沉积构造发育、白云石(铁白云石)胶结及重质沥青充填都使储层非均质性增强、渗透率降低,油气的流动性变差。东河塘组下段砂岩从上至下沥青在孔隙中的分布明显减少,非均质层也明显减少,中下部较均匀的块状砂岩是有利储层。 相似文献
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一、简述
地面高机动雷达是具有快速反应、紧急进入工作状态、随时快速架拆并立即转移的雷达,是针对现代战争中小目标突防、反辐射导弹威胁和战损补点等而设计的。雷达的高机动性成为增强雷达生存能力的重要方法之一,并对雷达网迅速加强布防和补充部署,加强局部战区空情保障能力有着重要的作用。其最大优点就是架拆时问短,能及时进行机动转移。此类雷达的安全性设计和可靠性设计一样,对于高机动功能的实现有着至关重要的作用。 相似文献
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塔里木盆地西端中生界沉积环境与油气地质特征 总被引:3,自引:0,他引:3
对塔里木盆地西端喀什凹陷地区地球物理和地面地质资料的综合分析表明,该地区中生界具有多个沉积中心,总体上西厚东薄,向东尖灭。侏罗系具有塔拉斯- 费尔干纳断裂带内的断陷盆地和南天山、西昆仑山前坳陷两个沉积体系,它们之间具有明显的岩相差别。以这两个体系的烃源岩为基础,相应地发育两个体系的含油气系统。喀什凹陷中生界的油气地质特征明显不同于东部库车坳陷与西部阿富汗- 塔吉克盆地,造成这种差异的主要原因是中生代期间的沉积环境不同。 相似文献
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山区公路路线线形设计 总被引:1,自引:1,他引:1
针对山区公路建设存在的问题,从设计标准定位、平面设计方法、纵断面设计方案等方面介绍了对山区公路路线设计的一点体会,对山区公路路线设计中容易忽视的问题提出建议,从而客观地设计出最佳路线线形方案。 相似文献
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就水泥混凝土路面的修复问题,介绍了水泥混凝土加铺层的三种结构形式及加铺层的设计方法,并对加铺层板类型,隔离层、调平层、路面排水二次设计进行了分析论述,以使水泥混凝土路面的使用性能得到改善。 相似文献
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A novel structure of 4H-SiC MESFETs is proposed that focuses on surface trap suppression.Characteristics of the device have been investigated based on physical models for material properties and improved trap models.By comparing with the performance of the well-utilized buried-gate incorporated with a field-plate (BG-FP) structure,it is shown that the proposed structure improves device properties in comprehensive aspects. A p-type spacer layer introduced in the channel layer suppresses the surface trap effect and reduces the gate-drain capacitance(Cgd) under a large drain voltage.A p-type spacer layer incorporated with a field-plate improves the electric field distribution on the gate edge while the spacer layer induces less Cgd than a conventional FP.For microwave applications,4H-SiC MESFET for the proposed structure has a larger gate-lag ratio in the saturation region due to better surface trap isolation from the conductive channel.For high power applications,the proposed structure is able to endure higher operating voltage as well.The maximum saturation current density of 460 mA/mm is yielded.Also,the gate-lag ratio under a drain voltage of 20 V is close to 90%.In addition,5%and 17.8%improvements in fT and fmax are obtained compared with a BG-FP MESFET in AC simulation,respectively.Parameters and dimensions of the proposed structure are optimized to make the best of the device for microwave applications and to provide a reference for device design. 相似文献
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