紧凑型随钻测井补偿电阻率仪

给出一种井眼补偿随钻电磁传播电阻率测井的新方法和仪器设计。与现有的补偿方法相比，新方法使用更短的探头组合提供多个探测深度的井眼补偿电阻率测量，并且这种紧凑的探头组合通常要短40％，从而使底部钻具组合（BHA）更短、成本更低。本文给出这种紧凑型探头组合设计的理论基础和井下目的层的电磁模拟结果，也给出了井下测井仪的现场测试结果。 采用紧凑型探头组合设计会使随钻铤电阻率测井的仪器更短、费用更低。而在电缆测井仪难以测量的水平井和斜井中，这三种电阻率测量能够确定出在钻井、地质导向和地层评价时的真电阻率（Rt）、侵入直径和冲洗带电阻率（Rxo）。对于井眼补偿测量，与常规探头组合相比，最初设计出的这种紧凑型探头组合约短44％。 给出了三个接收器和两个发射器探头组合的电磁模拟结果，证明由相位差测量得到的浅、中和深电阻率结果。使用模拟和现场测试资料对比显示了这种紧凑型探头组合和现有探头组合在不规则井眼和在层界面处的结果。也给出了能证明多频工作局限性和优势的模拟结果，以及用于补偿电子线路误差新方法的测试数据。 本文对随钻测井井眼补偿电阻率方法提出一种新途径，它缩短了探头组合总长度及降低了相关成本。与现有井眼补偿探头组合设计相比，这种紧凑型探头组合增强了侵入剖面、改进了真电阻率的确定。     

直拉单晶硅中的缺陷形成机理及控制方法

半导体级单晶硅作为半导体产业链中的重要原材料，其杂质、缺陷等品质对电子器件和集成电路的性能起着至关重要的作用。单晶硅生长和加工过程都不可避免地会形成各种缺陷。鉴于直拉法是目前主流的单晶硅制造方法，针对直拉法半导体级单晶硅制造技术中的晶体缺陷工程问题进行了探讨。简要介绍了半导体级单晶硅中各种晶体缺陷以及它们的形成机理。最后，总结了控制缺陷形成的主要方法。     

环空流体密度仪

环空测试流体密度仪系江汉测井研究所近两年来研制成功的一种生产测井仪器，能在抽油井中进行环空测试流体的平均密度。     

MCI微电阻率成像测井仪数字相敏检波的改进

介绍了微电阻率成像测井仪MCI(Micro-conductivity Imaging Logging Tool)检测系统原理及其所存在的不足,对其进行了优化处理.阐述了数字相敏检波的基本原理,给出线性逼近算法的优缺点,针对该算法精度不高的缺点提出一种线性逼近和牛顿拉夫逊相结合的新算法.给出了新算法的程序流程图以及新算法...     

微电成像测井仪中数字相敏检波开方算法的改进及DSP实现

研究了微电阻率成像测井仪中数字相敏检波开方算法的改进及其DSP实现.介绍了数字相敏检波的基本原理,给出了线性逼近开方算法的优缺点,针对线性逼近算法精度不高的缺点提出一种线性逼近和牛顿拉夫逊相结合的新算法,并给出新算法与线性逼近算法的相对误差图,展现了新算法在计算精度上的优越性,然后给出新算法DSP实现的程序流程图和实验结果.得出新开方算法不仅能够满足测井实时计算的要求,而且还能提高信号检测的线性度的结论.