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多晶硅工艺过程危险、有害因素浅析 总被引:3,自引:0,他引:3
多晶硅生产过程中主要危险品有氢气、液氯、三氯氢硅等,生产过程中存在火灾、爆炸、中毒、窒息、触电伤害等诸多危险、有害因素。 相似文献
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研究表明,贵金属氧化物RuO2具有较高的比电容,但是由于该金属昂贵的价格限制了它商业化的应用。一些廉价金属氧化物也具有一定的氧化还原准电容,本文采用微波法,制备了纳米级NiO。具有优良的电化学电容行为。 相似文献
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管线运输己经成为五大运输之一,油气管线输送是石油及天然气运输的主要支柱,通过对欧洲输气管道事故统计与分析,从而得出经验教训,对预防管线事故,延长管线寿命具有十分重要的指导意义。 相似文献
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在每年夏季来临时,经常暴风雷雨较多,气候异常,是我县有线电视网络系统发生故障的高峰季节。雷电对有线电视系统的危害十分强烈,所以防雷、避雷与接地问题,就成了有线电视网络维护人员征服自然,减少灾害损失的一个重要课题。作为一名广播电视网络维护工程技术人员,下面我们将结合本人的工作实践,就如何做好有线电视网络防雷防护问题谈一些粗浅体会。 相似文献
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提出了一种以小数分频锁相环作为数控振荡器的全数字锁相环架构.该设计具有输出频率高,抖动小等优点.该设计在UMC0.13μm CMOS工艺中实现,版图面积为0.2mm2,最高输出频率可以达到1GHz以上,测量的输出时钟抖动RMS值为32.36ps. 相似文献
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