首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5篇
  免费   0篇
综合类   1篇
石油天然气   4篇
  2023年   1篇
  2022年   1篇
  2014年   1篇
  2008年   1篇
  2004年   1篇
排序方式: 共有5条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
尼日尔Agadem区块古近系Sokor1组普遍存在低阻油层,导致油层在测井解释过程中容易被遗漏.根据普通薄片、铸体薄片、扫描电镜、黏土X线衍射、重矿物分析、地层水矿化度和试油分析等资料,考虑岩石粒度、孔隙结构、黏土矿物含量及类型、油层厚度、导电矿物及油藏类型,讨论造成低阻油层的地质成因.结果表明,Sokor1组低阻油层形成原因主要包括3个方面:岩性细、孔隙结构差和黏土含量高造成束缚水饱和度高;黏土矿物附加导电性;油层厚度薄.该研究成果为尼日尔Agadem区块油气勘探提供地质借鉴.  相似文献   
2.
渤海湾盆地深层潜山储集层中H2S成因及其地质意义   总被引:3,自引:0,他引:3  
近年来深层潜山和潜山内幕成为渤海湾盆地油气勘探的重点层系之一。勘探过程中不断发现深层潜山碳酸盐岩中产出浓度较高的H2S气体。这种H2S气体是碳酸盐岩,地层中的硫酸盐与煤类物质发生热化学还原作用形成的。H2S浓度之所以较高,是封闭条件较好致使苯无法逸散,存在浓度较高的H2S气体,说明深层潜山碳酸盐岩内确实发生了显著的油气运移和聚集过程,具备了油气成藏的地质条件,同时表明目的层处于高温高压的封闭环境,有利于油气的保存,此外H2S的形成对碳酸盐岩储集层的发育也有一定贡献。图4表9。  相似文献   
3.
讨论了大港油田板桥地区馆陶组地层低电阻率岩性油层的形成机理及相应的评价方法.在测井曲线响应特征不明显的情况下,从粘土矿物类型、沉积微相类别等方面详细分析了该区低电阻率岩性油层主控因素.馆陶组粘土矿物以蒙脱石为主,蒙脱石含量与泥质含量成正比,泥质含量相对较高,地层电阻率下降,从而形成低电阻率油气层.蒙脱石的阳离子交换及吸水膨胀是该区馆陶组地层形成低电阻率油气层的直接原因.提出了低电阻率油层应该以沉积微相的不同建立定性识别标准和定量评价方法,按照测井曲线响应特征结合该区的沉积背景,分析不同储层沉积微相类型,按照不同的沉积微相类型分别建立测井解释标准.实际应用地质效果明显.  相似文献   
4.
基于地震、钻井、铸体薄片、油样和岩样地球化学分析、生烃史模拟等资料,研究尼日尔Termit海陆相叠合盆地油气成藏特征,并探讨未来油气勘探方向。研究认为:(1)Termit盆地为早白垩世和古近纪两期裂谷叠合,东部Trakes斜坡2口钻井沉降曲线显示晚白垩世沉降速率高,分析认为是遭受海侵影响造成的高沉积速率,也可能存在一期弱裂谷发育;(2)Termit盆地沉积层序主要受控于晚白垩世海侵期旋回和古近纪湖侵期旋回控制,发育海-陆“两种源汇”沉积叠合,海侵期广覆式发育的海陆相混源型烃源岩全盆地分布,湖侵期形成的古近系Sokor 1组储集层和Sokor 2组盖层叠置其上,形成了中西非裂谷系独特的海陆相裂谷叠合盆地;(3)Termit盆地早期地温梯度低,盆地主力烃源岩上白垩统Yogou组在古近纪晚期生烃。Trakes斜坡发育上白垩统Donga组成熟烃源岩,为“双源”供烃油气成藏模式,形成Trakes斜坡油田群;(4)Termit盆地海陆相裂谷叠合成藏模式新认识和勘探实践,扩大了盆地东部有效勘探面积约2 500 km2,认为在盆地东南新区带Sokor 1组、新层系Donga组和上...  相似文献   
5.
Esso等多家国际油公司在尼日尔Termit盆地勘探36年,未获商业开发储量规模而退出。中国石油通过技术评价和商务一体化结合,于2003年进入Termit盆地,制定“分步走”勘探策略,一方面在盆地已有发现的西部进行滚动勘探落实储量,另一方面通过攻关核心地质问题,明确主力含油气层系和勘探方向。研究认为:(1)Termit盆地为发育两期裂谷和两期坳陷的叠合裂谷盆地,且在晚白垩世遭受海侵,与中西非地区其他陆相裂谷盆地有所差异;(2)古近系下部砂泥岩互层与上部区域性泥岩构成主力储盖组合;(3)建立了海陆叠合裂谷油气成藏模式,指导发现了4个亿吨级油田群,勘探获得巨大成功,成为海外自主勘探的又一典型成功案例。形成3个启示:(1)技术评价和商务一体化运作是尼日尔区块获取的重要原因;(2)陆相裂谷石油地质理论和技术的成功应用是Termit盆地勘探成功的前提;(3)建立Termit盆地成藏模式是勘探获得重大突破的主因。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号