论高校德育中促使道德内化的途径

文章阐述了个人的内心信念是道德最根本的作用方式,强调要重视隐性德育的育人作用,加强大学生自身道德修养,促使道德内化。     

SNMPv3在网络安全管理系统中的应用

本文介绍了网络安全管理系统和简单网络管理协议SNMP的概念,并对系统的框架结构进行了深入研究,最后重点阐述了安全管理系统中SNMPv3的设计实现。     

热介质老化对HNBR力学性能的影响

采用加速老化实验方法研究了热介质对氢化丁腈橡胶（HNBR）材料力学性能的影响,获得了热空气、ASTM 1#标准油和ASTM 3#标准油中老化温度及老化时间对HNBR材料力学性能的影响规律。结果表明,HNBR材料具有良好的力学性能和耐油性能。     

秋季“养阴”重“七养”

秋天,是从立秋之日起,到立冬之日止,其间经过处暑、白露、秋分、寒露、霜降等六个节气,并以中秋(农历八月十五日)作为气候转化的分界。《管子》指出:"秋者阴气始下,故万物收。"这里的阴气始下,是说在秋天由于阳气渐收,而阴气逐渐生长起来;万物收,是指万物成熟,到了收获之时。从秋季的气候特点来看,由热转寒,即"阳消阴长"的过渡     

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.     

6H-SiC同质外延层上Si1-yCy合金的生长

用化学气相淀积(CVD)的方法, 在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层, 继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射等方法对所得的样品进行了表征测量, 着重研究了生长得到的Si1-yCy合金的晶体结构。SEM结果显示6H-SiC外延层上生长的Si1-yCy合金薄膜表面平整, 晶粒大小均匀; XRD衍射谱仅显示单一的特征衍射峰(2θ约为28.5°), 表明得到的合金薄膜晶体取向单一, 其晶体类型为4H型; 粗略估算, 合金薄膜中C含量约为3.7%。拉曼谱显示：随生长气源中的C/Si比的增加, Si1-yCy合金薄膜中替位式C含量逐渐增大, 当C/Si比达到一定值时, 合金薄膜中有间隙式C出现, 造成晶体缺陷, Si1-yCy合金薄膜晶体质量下降。     

Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGex:C缓冲层总体呈p型导电,存在一局域n型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究.     

五种咳嗽的对症饮食疗法

正咳嗽是一种常见病多发病,貌似小病却最令人烦恼,不但自己难受而且影响别人,往往迁延难愈。西医将咳嗽分为急、慢性两大类,其中急性咳嗽常见于咽炎、扁桃体炎、喉炎、支气管炎、肺炎及吸入异物等,引起慢性咳嗽的疾病很多,咽喉部的慢性咽炎、慢性喉炎、咽结核、喉癌,慢性支气管炎、喘息性支气管炎、支气管扩张、支气管癌、肺泡癌,肺部疾病如肺结核、肺脓肿、肺囊肿、肺吸虫病、肺包虫病、矽肺、尘肺、肺泡蛋白沉着     

盘中餐 御烟害

正中医认为,肺为娇脏,不耐寒热,最喜清气熏蒸,最恶燥气炎逼,而香烟为热毒燥邪,而长期吸烟会使肺气郁闭,火毒上熏,灼液成痰,最终引起咳嗽、咯痰、支气管炎、肺癌等多种疾病。在治疗方面,针对肺的生理功能和烟毒的病理特性,多以清热解毒、化痰止咳、养阴润肺为要。这里介绍几款解毒营养保肺汤,以期通过食疗来预防烟源性疾病,减少吸烟对人体的危害。1.杏仁雪梨山药汤杏仁10 g,雪梨1个,山药、淮山米粉及