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1 引言半导体陶瓷电容器 (以下简称半导C)特大的比体积电容量 (MF/cm3 )是传统陶瓷电容器所不可比拟的 ,这种小型化的新型元件具有颇具吸引力的市场潜力 特别是在尚未l0 0 %或不需 10 0 %采用SMT组装技术的电子产品中 ,如电视机、计算机、音响、电话机、电子玩具、白色家电……等产品中的耦合、隔流、滤波、旁路等电路中使用半导C ,无疑是最佳选择 目前市场需求热点是Y5V、Y5U、Y5P三种温度特性组别的Ba TiO3 基表面层型半导C和具有更佳温度特性、频率特性和更高使用频率 (达几GHz)的SrTiO3 基晶界层型半… 相似文献
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燃用高硫煤的锅炉会不可避免地产生空气预热器的冷端腐蚀,甚至会使空气预热器换热元件产生严重损坏和出现堵塞,导致烟道差压过大,造成送引风机失速,甚至停炉。对空气预热器冷端换热元件进行搪瓷改造后,从根本上解决了冷端腐蚀问题。 相似文献
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针对山西电网目前的现状,分析了双细则实施后山西电网自动发电量控制考核的具体情况,提出参与考核的火电厂应对双细则的自动发电量控制策略。 相似文献
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国内首台300MW直接空冷半干法脱硫机组,采用的是武汉锅炉厂生产的1045t汽包炉。该炉型采用中储式制粉系统,四角切圆燃烧。运行一年多来,性能较为稳定,但燃烧调整与厂家提供方式已有较大改变,特别是配风调整。为此针对该炉型的一些特点,论述其配风调整方法。 相似文献
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为了研究牛蹄塘组页岩的孔裂隙特征和控制因素,对研究区牛蹄塘组页岩进行了系统采样,并针对性地进行了扫描电镜分析、压汞测试、低温液氮实验。结果表明:牛蹄塘组页岩孔隙主要以溶蚀孔、粒间孔、晶间孔、有机质气孔为主,还发育少量格架孔、摩擦孔等。孔隙平均孔径为14.451 nm。裂隙主要为构造裂隙,其中张裂隙最为发育。平均孔隙度为9.5%,喉道均值为13~16 nm,数值较大,具有较好的分选。退汞效率和最大进汞饱和度较高,孔渗条件较好。孔比表面平均为5.959 m2/g,总孔体积平均为0.014 2 mL/g,显示较强的储集性和吸附性。高的有机质含量有利于孔隙的发育,而随着变质作用的进行,Ro逐渐增大,孔隙度有减小的趋势,但孔隙分选变好。 相似文献
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通过水热合成法合成了具有典型层状结构的MxNb6O17采用离子交换法制备了Ni2Nb6017和Feo75Nb6O17。采用X-射线粉末衍射(XRD)、紫外.可见漫反射光谱(UV-vis-DRS)等技术对催化剂进行表征。通过红外光谱技术考察了催化剂对甲烷气中甲硫醇的吸附性能与光催化氧化性能。结果表明,MxNb6O17及改性后的铌酸盐均具有很好的层状结构,改性后的铌酸盐对光谱的吸收由紫外光区向可见光区域移动,且吸收强度增加。在流动体系中对甲烷气中的甲硫醇具有吸附活性,在静态条件下经紫外光辐射对甲硫醇具有光催化氧化活性。 相似文献
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