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本文针对TCB隔离开关的安装调整工艺和方法以及注意事项进行了详细阐述,对此过程中出现的问题提出解决方法。 相似文献
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0引言 铜冶220kV 2#母线GW6型隔离开关已运行20余年,由于设备存在设计、材质使用及加工工艺等方面的缺陷和不足,以及加上运行时间长和维护不到位等原因,致使此型刀闸缺陷发生率较大,严重影响了电网及设备的安全运行.因此我班对铜冶220kV变电站220kV各分路2字刀闸进行了改造,由原GW6型改造为GW6A型隔离开关.它对传动机构箱的密封、动静触头的电接触、减少操作功,以及产品可靠性方面做了重要的改进和提高,彻底解决了传动箱内鸟类筑巢,传动部分受雨雪侵蚀,以及消除操作瓷瓶所受的附加弯力矩等方面的问题. 相似文献
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介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术. 该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27nm CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造. 相似文献
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准确提取电子散射参数是确保纳米级电子束光刻邻近效应校正精度的关键。采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数提取的方法。邻近效应校正的近似函数采用双高斯分布,其中η的提取是基于设计线宽变化与相应曝光剂量之间的线性关系进行拟合而得;α和β的提取则是分别根据前散射和背散射的范围设计特定的提取版图,并根据电子束邻近效应产生的特殊现象进行参数值的确定。根据此方法提取了150nm厚负性HSQ抗蚀剂层在50kV入射电压下的散射参数,并将其应用于邻近效应校正曝光实验中,很好地克服了电子束邻近效应的影响,验证了此方法提取电子束曝光邻近效应校正参数的实用性及准确性。 相似文献
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与陆上混采数据混叠干扰类型单一相比,由于海底节点(OBN)高效混采施工的特殊性,OBN高效混采数据中存在多种混叠干扰类型,其中非生产炮数量过多造成逻辑坐标系统下的重炮以及复杂海域导致的严重变观现象,是OBN高效混采资料中产生多种类型混叠干扰的两种主要原因.为此,通过分析OBN高效混采数据中混叠干扰类型,研究了迭代动态映... 相似文献
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