Mg离子注入成结制备InSb光电二极管阵列研究

利用Mg离子注入制备了具有较好性能的128×128元平面结InSb面阵芯片。77K下测得截面积为38μm×38μm的InSb二极管,其典型零偏阻抗为3.5MΩ。对光电流测试结果及计算值进行了分析。提出了估算Mg离子在InSb中注入射程及结深的简化模型,采用这一模型的结深计算值与实测结果相符。     

红外探测器的发展及其在空空导弹上的应用

介绍了红外探测器的发展状况, 归纳了现有红外探测器的类型, 并阐述了它们在空空导弹中的应用, 指出红外探测器及红外空空导弹的发展趋势.