TiNiCu合金薄膜的制备及形状记忆性能

采用镶嵌靶、通过直流磁控溅射法在不加热的情况下于硅基片上制备了Ti-49．57％Ni-5．6％Cu合金薄膜。XRD图谱表明,该薄膜为非晶态。对其进行的退火晶化后的形状记忆性能研究发现:薄膜分别经550℃×0．5 h、650℃×0．5 h晶化处理后无残余塑变存在下的最大恢复应力、最大恢复应变分别为180 MPa、2．7％;90 MPa、1．4％。     

磁控溅射制备Ti-Ni-Cu记忆薄膜与组织成分研究

优化直流磁控溅射Ti-Ni-Cu薄膜的制备工艺参数,研究薄膜的组织结构、成分与工艺参数对其的影响规律。采用SEM、TEM、XRD及EMPA对其系统研究分析。结果表明,经650℃、0.5h退火,溅射态的非晶无序结构的Ti-Ni-Cu薄膜完全晶化,获得形状记忆效应。室温下基体组织为立方结构的B2相。溅射薄膜的厚度与时间几乎呈线性变化;而薄膜的沉积速率随着溅射功率的增大而升高,但溅射功率再增大则沉积速率降低;薄膜的成分随溅射功率、工作气压及时间的变化基本一致,不存在成分离散问题。     

不同Cu含量的TiNiCu形状记忆合金薄膜的组织与相变

利用TEM、XRD、DSC测试方法,首次系统地研究了直流磁控溅射制备的3种不同Cu含量的TiNiCu形状记忆合金薄膜的退火组织和加热与冷却过程中发生的相变.结果表明:退火后的薄膜获得了形状记忆性能;随着薄膜中Cu含量的增加,薄膜的退火组织出现差异,相变滞后明显变小,相变温区变窄;使获得快速响应的形状记忆合金薄膜成为可能.     

羟基磷灰石纳米棒的水热制备及其晶体生长机理研究EI北大核心CSCD

以无水CaCl 2和(NH 4)2HPO 4为原料,尿素为均相沉淀剂,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,利用水热法制备了羟基磷灰石(HA)纳米棒。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对产物的物相组成、微观形貌进行了表征。结果表明:通过改变反应温度和时间,可实现HA纳米形貌的可控微调。在120℃水热反应12 h可以制备出单晶密排六方结构HA纳米棒,其长约为0.5~1.0μm,直径约为15~30 nm。并从晶体结构的角度详细研究了CTAB在合成纳米棒结构中所起的作用,并通过实验进行了验证。     

一种简单通用制备纳米羟基磷灰石的方法

详细介绍了如何在普通的实验条件下获得纳米羟基磷灰石的方法。采用化学沉淀法以Ca(H2PO4)2.H2O和Ca(OH)2为原料,聚丙烯酸纳为稳定剂,磁力搅拌器搅拌并辅以超声波作用,通过X射线衍射、透射电镜及细胞共培养评价所制备的材料。结果成功地制备了羟基磷灰石纳米粒子,粒径20～50nm,形貌呈细针状,集成羽毛状均匀分布,羽毛根部宽约20～30nm;并且这些纳米粒子与细胞的共培养效果良好。