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1.
锰掺杂对PNW-PMS-PZT压电陶瓷结构和性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
采用传统陶瓷工艺制备了Pb(Ni1/2W1/2)O3-Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-Pb(Ti,Zr)O3-xMnO2压电陶瓷,分析了经1150℃烧结2h制备的陶瓷样品的相结构组成。实验结果表明:所有陶瓷样品均为钙钛矿相,未发现其它晶相。随着锰掺杂量的增加,陶瓷晶粒逐渐长大。研究了不同剂量的锰掺杂对压电陶瓷介电和压电性能的影响。结果表明:随着锰掺杂量的增加,材料逐渐变“硬”,当MnO2掺杂量少于0.2%(按质量计,下同)时,相对介电常数εr、压电常数d33和机械品质因数Qm逐渐增加,介电损耗tanδ减小;当MnO2掺杂量多于0.2%时,εr、d33和Qm逐渐降低,tanδ增加。随着锰掺杂量的增加,机电耦合系数kp和Curie温度θc逐渐减小。MnO2掺杂量为0.2%的压电陶瓷适合制作大功率压电陶瓷变压器。其压电性能为:εr=2138,tanδ=0.0058,kp=0.613,Qm=1275,d33=380pC/N和θc=205℃。 相似文献
2.
3.
研究了用溶胶.凝胶法制备ZAO薄膜的工艺、掺杂及其显微结构。用六水合氯化铝在溶胶中引入Al2O3。掺杂Al的含量为1%,3%,6%和9%。用浸涂法在石英玻璃基片上浸涂ZnAO薄膜,研究了热处理、掺杂对ZAO薄膜相组成和显微结构的影响。X射线衍射结果表明,衍射图谱中无Al2O3的衍射峰。随着掺杂量的变化,ZnO主要衍射峰的位置、晶面间距均发生了有规律的变化,说明Al掺杂进了ZnO晶格中。研究结果表明,溶胶浓度、Al掺杂量、热处理温度都影响薄膜的显微结构。当薄膜厚度较大时,热处理过程中ZnO晶粒呈现明显的择优生长现象。 相似文献
4.
The lead-free piezoelectric ceramics (1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiNbO3(abbreviated as KNLN) were synthesized by a traditional solid state reaction. The effects of Li^+ on the sintering characteristic, the phase structure and piezoelectric properties of KNLN ceramics were investigated. The sintering temperature of KNN-based ceramics is decreased by doping Li^+ and the range of the sintering temperature is narrow. The KNLN ceramics exhibit an enhanced piezoelectric properties with the piezoelectric constant d33 value of 180-200 pC/N, The electromechanical coupling coefficients kp is 35%-40%. The results show that (1-x)(K0.5Na0.5)-NbO3-xLiNbO3 (x=0.05, 0.06) is a promising high-temperature lead free piezoelectric ceramic. 相似文献
5.
分析了低温预氧化过程对聚碳硅烷(PCS)先驱体结构的影响,研究了不同预氧化温度和时间下SiCf/SiC复合材料室温和高温介电性能的演变规律。结果表明:经预氧化处理后基体中的氧含量增加,生成具有低介电常数的Si CxOy相,且其含量随着预氧化温度的升高或时间的延长逐渐增加,SiC微晶和自由碳的含量均减少,因此SiCf/SiC复合材料的复介电常数明显降低,同时高温复介电常数的升高幅度显著减小。经260℃-6 h预氧化处理后,700℃时复合材料在整个X波段的反射率均达到-8 d B以下,高温吸波性能得到有效改善。 相似文献
6.
莫来石陶瓷的制备及其微波介电性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用SiO2溶胶和Al2O3溶胶以及分析纯SiO2和Al2O3粉末,采用热压烧结法制备了莫来石陶瓷。研究了莫来石陶瓷的微波介电特性与烧结致密度、烧结助剂MgO以及测试频率之间的关系。结果表明,烧结条件对莫来石陶瓷致密度和介电常数有很大影响,其中以热压温度对莫来石陶瓷烧结致密度和复介电常数的影响最大。烧结条件不同时,可以得到一系列具有不同复介电常数的莫来石陶瓷。添加烧结助剂MgO后,莫来石陶瓷复介电常数的实部和虚部均有所升高。在8~12GHz频率范围内,莫来石陶瓷的复介电常数没有表现出明显的频散效应。 相似文献
7.
SiC_f/LAS玻璃陶瓷基复合材料的界面 总被引:4,自引:0,他引:4
:详细评述了SiCfLAS玻璃陶瓷基复合材料的界面。该界面是在热压过程中形成的,由富碳层或富碳层和碳化物层构成,这些界面层的存在导致了界面的弱结合。界面具有很好的热相容性。在惰性气氛或还原性气氛中,界面具有很好的热稳定性。在高温氧化性气氛中,界面层很快因氧化而消失,导致纤维与基体间的强结合,使材料发生脆断。 相似文献
8.
采用传统陶瓷工艺制备了PNW-PMS-PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;随着PNW含量的增加,陶瓷晶粒逐渐长大;研究了室温下PNW含量对介电性能和压电性能的影响,实验表明,随着PNW含量的增加,介电常数rε、机电耦合系数kp和压电常数d33先增加,PNW含量为0.02 mol时分别达到最大值,然后降低;随着PNW含量的增加,介电损耗tanδ一直增加,机械品质因数Qm和居里温度TC始终降低。PNW含量为0.02 mol的压电陶瓷适合制作大功率压电陶瓷变压器。其性能为:rε=2 138,tanδ=0.005 8,kp=0.61,Qm=1 275,d33=380 pC/N和TC=205℃。 相似文献
9.
10.
以热压烧结的方法制备了Al2O3/Cr复合材料,探讨了Al2O3/Cr复合材料显微结构、力学性能及微波介电性能随Cr粒子含量变化的规律。SEM结果表明,在垂直于压力方向上,Cr粒子有明显的受压拉伸现象;当Cr粒子含量从10vol%增加至30vol%时,复合材料中Cr粒子的分布由孤立向桥连方式转变。随Cr粒子含量的增加,复合材料致密度略有下降,抗弯强度明显降低。与纯氧化铝陶瓷相比,含10vol%Cr粒子Al2O3/Cr复合材料的断裂韧性提高了81%以上。复介电常数测试结果表明,在8.2~12.4GHz频率范围内,复合材料复介电常数的实部和虚部随Cr粒子含量的增加大幅度上升,且存在明显的频散效应。当Cr粒子含量达到30vol%时,由于Cr粒子之间的部分桥连现象而使介电常数虚部在一定频段出现负值。 相似文献