彩釉砖板面细小裂纹机理研究及工艺控制

本文定义了釉釉砖板面细小裂纹的随机性，建立它的力学模型，在此基础上阐述了它的形成机理和工艺控制。     

Cu-SiC磨具制备及其性能表征

笔者描述了铜-碳化硅磨具的制备过程,采用热压成形法制备了Cu-SiC磨具。该磨具主要由铜粉、酚醛环氧树脂和碳化硅磨料组成。研究了树脂、碳化硅与辅助磨料的种类、组成对磨具性能的影响。结果表明:当加入适量铜粉,复合材料磨损率会下降、耐磨性能会提高,被磨削表面不易出现凹痕、孔洞;但是铜粉添加过量时,磨具磨损率会增加。较佳配方组成为:35wt%树脂、45wt%碳化硅、15.56wt%铜粉、4.44wt%白刚玉。     

电激励重频HF激光器非稳腔设计及实验研究

为实现电激励重频HF激光远距离传输,在较短的谐振腔内产生大模体积的高质量激光束,开展了激光器正支虚共焦非稳腔的结构设计、仿真计算和实验研究。仿真结果表明,随着放大率M的增大,远场光斑中心亮斑包含的能量逐渐增大,能量向中心转移,远场光斑尺寸和远场发散角也随放大率M增大而减小。实验结果表明:随着放大率M的增大,远场光强分布、光斑尺寸和发散角变化规律与仿真结果一致,但输出激光能量以先增大后降低的规律变化。综合考虑高光束质量和高能量的指标要求,在流场正常工作情况下,当放大率M为3.0时,获得了远场发散角为2.37倍衍射极限和激光能量稍低于稳定腔（约为稳定腔激光能量的94.6%）的重频激光输出,满足激光远距离传输需求。     

LED驱动控制芯片的ASIC研究与设计

ASIC设计是近年来微电子技术领域的又一场革命，已经渗透到人们生活的各个领域。针对ASIC技术的不断发展与进步，用Quartus Ⅱ开发软件，实现一种LED驱动控制专用集成电路的前端设计。整个设计采用“自顶向下”的设计过程，首先进行行为级设计及功能验证和仿真，然后手工综合成门级电路，并将设计的门级电路进行逻辑验证和仿真。通过对整个系统的仿真与验证，该电路具有功耗低、可靠性高、集成度高的特点，可以应用在VCR、VCD、DVD以及家庭影院等产品的显示屏驱动。     

超连续谱激光光束质量特性

作为一种新型激光光源,超连续谱光源由于具有白炽灯的光谱宽度和激光的亮度,成为目前研究的一个热点,但其光束质量的评价方法至今研究报道的较少,给应用带来了不便。分析比较了各种常用光束质量评价方法的优缺点,提出用测量典型波长光束质量,结合光谱特性及光束同轴性分析评价超连续谱光源光束质量的方法,并用此方法对一台超连续谱光源的光束质量进行了测量。结果表明,超连续谱光源的光束质量与泵浦光的功率密切相关,功率较小时M2 因子在1.5 以下,功率较大时M2维持在1.9 左右。另外,可见光部分光束质量M2因子在1.5 左右,且随着泵浦功率的提高,光束质量越变越好,维持在1.3 左右。     

开关电路中按键抖动信号的比较

针对在数控开关电路设计中按键抖动信号往往导致系统误操作的问题,研究抖动信号产生的原因及特点,给出多种消除抖动信号的方法。比较结果表明:低频采样消抖动电路结构简单、可靠性高,能有效消除数控开关的按键抖动信号。     

H_2O_2分解速率常数的测定及其教学实验条件探讨

过氧化氢(H_2O_2)的分解是一级反应,该反应属于化学动力学研究中非常经典的实验内容。基于新药的稳定性及其在体内的吸收、分布、代谢等多方面应用,反应速率的测定和反应机制的确定在药学类专业开设H_2O_2分解实验,具有相当重要的研究意义。采用静态法测定H_2O_2分解反应的速率常数和半衰期;考察催化剂浓度等因素对反应速率常数的影响。结果显示催化剂的摩尔量越大,反应速率常数越大。H_2O_2分解反应作为物理化学创新性实验是可行的。     

溶胶—凝胶法全成SiC—AlN复合超细粉末的机理研究

本文通过对热力学过程动力学过程的研究，探讨了ＳｉＣ－ＡｌＮ复合细粉末的合成机理，由于Ａｌ４ＳｉＣ４产物的出现，反映了合成的非单一化。通过ＸＲＤ分析，研究了ＳｉＣ－ＡｌＮ粉末合成反应历程，并指出ＡｌＮ的生成比ＳｉＣ生成滞后５０－１００℃，从自由能和反应常数作了理论上的分析。通过对合成过程中转化率的测定和颗粒形貌的观察，探讨反应动力学过程，说明了系统中晶核和晶体大长机制。最后，本文分析了粉末中晶须产生     

SiC和SiC-WC复相陶瓷高温自润滑特性及其机理

研究了SiC和SiC-WC在真空中的自对偶高温摩擦性能。随着温度的升高，SiC／SiC的摩擦系数变化不大，比磨损率(自对偶体积磨损量与接触压力和摩擦路程之比)从20℃到800℃保持为4.0×10~(-8) mm~3／(N·mm)(模式Ⅰ)，从800℃到1 200℃减少(模式Ⅱ)，自对偶的高温磨损机理由轻微的粘着磨损控制，磨损由模式Ⅰ向模式Ⅱ转化，呈现出高温自润滑特性。SiC-WC／SiC-WC显示了较低的摩擦系数，直到1 200℃均不高于0.35，在1 000℃、0.4 MPa压力下自对偶的比磨损率仅为SiC／SiC的比磨损率的50％左右。在600℃SiC／SiC摩擦氧化明显，氧化物主要为无定形的SiO_2，在摩擦表面形成一层由微米或亚微米级无定形平滑薄膜层，这就是样品出现自润滑的机理。     

原位合成TiB2-SiC基复相陶瓷及其高温摩擦学性能的研究

本研究以SiC为基体，用TiC和B4C为原料，采用新的反应原理生成TiB2，原位合成了TiB2-SiC基复相陶瓷，提高了SiC陶瓷的物理性能和高温摩擦学性能：随着材料中TiB2物相重量百分比的增加，材料的高温摩擦学性能提高。在以下摩擦环境参数下TiB2（wt25％）SiC基复相陶瓷自对偶在空气中高温摩擦磨损性能较好，呈现良好的高温自润滑性能：在升温状态下、空气中、环境温度为200℃-1000℃、外加载荷为0．2MPa、摩擦速度为0．3m／s，温度和外加载荷对TiB2-SiC基复相陶瓷自对偶比磨损率的影响具有依存性。高温摩擦氧化是TiB2-SiC基复相陶瓷自对偶高温磨损主要机理，磨损试样磨损断面包含摩擦氧化层、过渡层和基体亚表面三层。氧化层和过渡层接触紧密；磨屑具有典型包裹结构。