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半导体红外反射率的调制 总被引:2,自引:0,他引:2
重掺杂半导体的以射率在最小反射率附近随入射波长的改变有较大的变化,而半导体材料的最小反射率波长λmin决定于自由载流子浓度,故掺杂引起的热平衡载流子浓度的变化和光注入、p-n结注入引起的过剩载流子浓度的变化都会导致半导体红外反射率谱的改变,这种变化在最小反射率波长附近非常大。当过剩载流子浓度达到热平衡载流子浓度的0.2倍时,半导体对波长为λmin的红外光的反射率从3%变化到45%,利用这种变化可以 相似文献
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本文介绍Windows环境下用C 面向对象技术实现图象处理软件的设计,给出建立图象显示基类和图象处理函数的方法。实践证明,软件设计效果良好。 相似文献
3.
在对红外热图像对比度进行增强时,常采用基于直方图的图像灰度线性或非线性变换技术,其缺点是易放大噪声。而根据二进小波变换建立红外热图像的梯度矢量图,通过对红外热图像梯度矢量图的变换可以有效地增强图像对比度且能抑制噪声的放大。 相似文献
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楔形发射体的有效发射面积较大,能够承受较大的发射电流,并产生较高的跨导,因而更适用于大功率微波放大器。用有限元法对器件的性能进行了分析,计算出了器件内部电场和电势分布,用Fowler-Nordheim公式计算出了场致发射电流,得到了楔形发射体真空微三极管的电流发射特性,所得结果对器件的设计和制造有重要的参考价值。 相似文献
5.
概述了集成真空微电子器件的基本理论、特性、工艺制备及发展现状。现在集成真空场发射阵列的发射电流密度可做到1×10~3A/cm~2,单个锥尖跨导为5.0 μS。对于锥尖密度为1×10~7锥尖/cm~2,总跨导可以达到50 S/cm~2。一种新的采用真空微电子技术的微带放大器,在频率ITHz下能输出功率1~50W。指出真空微电子技术将是设计和制备新型亚微米器件的有效方法。 相似文献
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本文介绍了一种对真空微电子器件进行电特性数值模拟的有限差分法。计算了场致发射电流与锥体的曲率半径r_(tip)、锥体半角度θ_(1/2)、栅孔半径r_g和锥体高度h的依赖关系。栅压V_g=100V,锥体发射阴极对曲率半径r_(tip)、栅孔半径r_g的电流灵敏度分别是3.7×10 ̄7A/nm和1.1×10 ̄3A/μm。 相似文献
7.
本文介绍了Windows环境下用C^++面向对象技术实现图象处理软件的设计,给出建立图象显示基类和图象处理函数的方法。实践证明,软件设计效果良好。 相似文献
8.
集成真空微电子器件的研究及展望 总被引:1,自引:0,他引:1
概述了集成真空微电子器件的基本理论、特性、工艺制备及发展现状。现在集成真空场发射阵列的发射电流密度可做到1×10~3A/cm~2,单个锥尖跨导为5.0μS。对于锥尖密度为1×10~7锥尖/cm~2,总跨导可以达到50S/cm~2。一种新的采用真空微电子技术的微带放大器,在频率1THz 下能输出功率1~50W。指出真空微电子技术将是设计和制备新型亚微米器件的有效方法。 相似文献
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叙述了用微细加工技术制作的非致冷单片式半导体薄膜电阻辐射热红外探测器的结构模型。基于模型所预测的性能与实验结果相符合。性能分析表明,高的热绝缘和低噪声是高性能微辐射热红外探测器的关键。 相似文献
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