排序方式: 共有74条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
1977年,谢菲尔德不锈冶炼和连铸厂(SMACC)投产,最初属英国钢公司的一部分。从1992年开始,该厂归属英国-瑞典不锈钢公司阿维斯塔谢菲尔德集团。2001年该公司成为阿维斯塔波拉里特公司,由芬兰金属集团-奥托昆普控股。随后进行了较大规模的优化改造,这年1月阿维斯塔波拉里特公司更名为奥托昆普不锈钢公司。 相似文献
2.
在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N 异质结 p-i-n 太阳光盲紫外探测器. 从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω. 器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98e11cm·Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一. 相似文献
3.
高功率微波武器能干扰或损坏敌方重要传感器,毁坏关键电子元器件,对雷达、导航、通信系统、战场感知系统等武器装备有很大威胁,是信息对抗中的重要攻击武器。目前,高功率微波武器技术已成为国际上的一个研究热点,也是正在发展中的一项新概念武器技术,美国、俄罗斯、欧洲防务局等都很重视高功率微波技术的研发和应用。目前,美国在高功率微波源、高功率微波发射和传输、高功率微波效应和防护研究方面处于领先,在高功率微波弹头小型化、波束精确控制方面取得重大突破。俄罗斯在重复频率脉冲功率源和高功率微波产生技术方面处于领先。本文主要对美国、俄罗斯、欧洲防务局高功率微波武器发展情况进行了跟踪研究。 相似文献
4.
5.
6.
InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究 总被引:1,自引:1,他引:0
利用感应耦合等离子(ICP)反应刻蚀(RIE)进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70~90 nm/min,刻蚀台阶垂直度~80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低。与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀。台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320×256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元(面积23 μm×23 μm)的动态阻抗(Rd)大于100 MΩ。 相似文献
7.
在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-I-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向Ⅰ-Ⅴ特性曲线计算了理想因子n与串联电阻Rs分别为3和93?器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm·Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一. 相似文献
8.
高功率微波武器作为一种"改变游戏规则"的新概念武器,一直是国防科技前沿跟踪的热点,其具有攻击速度快、转向灵活、作战成本低、全天候适用、目标信息化程度越高打击效果越好等特点,可用于毁伤雷达、预警飞机、军用计算机、战术导弹与隐身飞机的电子设备,使其性能下降甚至不能工作,从而破坏敌方武器的作战能力。本文主要介绍了美国、俄罗斯、欧洲各国高功率微波武器的研究和应用情况,阐述了高功率微波武器对抗技术途径。 相似文献
9.
10.