集成电子薄膜材料研究进展

首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义.文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2(诱导层)/MgO(阻挡层)组合缓冲层的方法控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,保护GaN基半导体材料的性能,降低介电/GaN集成薄膜界面态密度,建立界面可控的相容性生长方法.通过集成结构的设计与加工,研制出介电增强型GaN HEMT器件、高耐压GaN功率器件原型以及一体化集成的微波电容、变容管、压控振荡器、混频器等新型元器件.     

(B/Ti)_n/TaN薄膜点火桥的制备及点火性能

利用磁控溅射与微细加工技术,将B/Ti多层膜沉积在TaN模桥制备了(B/Ti)n/TaN薄膜点火桥(膜桥),其中TaN膜桥的尺寸为80m×40m×2m,B/Ti多层膜尺寸为4mm×4mm,层数为40层,第一层B厚度400nm,其后每层B或Ti厚度为200nm,总μμμ厚度约8m。用电压40V、电容47F的钽电容对样品进行发火性能测试。结果表明:TaN膜桥的点火延迟时间为85s、点火输μμμ入能量15mJ、爆炸温度2500~3500K、火焰持续时间0.15ms左右、炸药持续高度5mm左右,而(B/Ti)n/TaN膜桥的点火延迟时间为37s、点火输入能量6mJ、爆炸温度4000~8500K、火焰持续时间大于0.25ms、火焰持续高度10mm以上。在点火桥上沉积B/Tiμ多层膜可降低点火延迟时间和点火输入能量,有效提升火工品的点火性能。     

电子薄膜与集成器件国家重点实验室

电子薄膜与集成器件国家重点实验室(UESTC)是以电子科技大学教育部新型传感器重点实验室、信息产业部电子信息材料及应用重点实验室和功率半导体技术重点实验室为基础,于2006年7月经科技部批准组建,2008年10月通过科技部验收并正式开放运行,现任实验室学术委员会主任为雷清泉院士,实验室主任为李言荣院士。实验室覆盖了微电子学与固体电子学、电子材料与元器件、材料物理化学、材料学4个博士点学科,其中微电子学与固体电子学为国家重点学科。电子材料的薄膜化和电子器件的集成化以及介电-磁性-半     

Cr薄膜电阻桥的湿法腐蚀工艺参数研究

采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上沉积了Cr薄膜,采用光刻–湿法腐蚀工艺对Cr薄膜图形化得到电阻桥。通过实验,详细研究了腐蚀液温度、pH值和硝酸铈铵[(NH4)2Ce(NO3)6]浓度对Cr薄膜电阻桥腐蚀效果的影响。实验结果表明,Cr薄膜电阻桥的最优腐蚀参数为:硝酸铈铵浓度1.16 mol/L,pH值4,30℃水浴恒温。采用该最佳工艺制备的Cr薄膜电阻桥的腐蚀速率为180 nm/min,侧蚀为400 nm,桥区边缘线条整齐,其在5A恒流作用下点火效果良好,点火时间约为27.4 ms。     

Gilch法合成聚对苯乙炔缺陷及分子量的控制

聚对苯乙炔及其衍生物由于具有独特的导电性和荧光特性,目前广泛应用于有机光致器件、激光器件以及光探测器等领域.Gilch法合成聚对苯乙炔材料中往往存在缺陷,这些缺陷对材料及器件的光电性能产生影响.综述了控制PPV凝胶及苄基-二苯乙炔缺陷的方法,介绍了PPV分子量的影响因素.     

电子薄膜与集成器件国家重点实验室

电子薄膜与集成器件国家重点实验室（UESTC）是以电子科技大学教育部新型传感器重点实验室、信息产业部电子信息材料及应用重点实验室和功率半导体技术重点实验室为基础，于2006年7月经科技部批准组建，2008年10月通过科技部验收并正式开放运行，现任实验室学术委员会主任为雷清泉院士，     

新型电容器用高介电常数聚合物研究进展

高介电常数聚合物具有优异的介电性和柔韧性,可以制备高容量有机薄膜电容器等无源器件,近年来受到广泛关注.目前理论和实验研究的热点主要集中在聚合物/无机介电陶瓷、聚合物/导电颗粒复合材料和纯有机聚合物材料.综述了这3种聚合物的高介电机理及研究进展.采用物理、化学方法进行表面修饰改性,掺入导电颗粒及设计具有高度芳环结构聚合物等措施,均可有效提高介电常数、减小损耗.     

含多氰基的有机非线性光学材料合成研究进展

含多氰基的有机非线性光学材料是近年来有机非线性光学材料研究的热点.这类材料的合成研究呈现出共轭链由短到长,分子由简单到复杂,由一维到多维的趋势.随着研究技术的成熟,其在器件应用方面的改性也受到重视,目前,很多有机非线性光学材料都已被制作成器件而得到应用.综述了这类材料的合成研究情况,探讨了具有高电光活性和低光损耗的非线性光学材料的合成技术,展望了今后有机非线性光学材料分子设计合成可能的发展方向.