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井型 NaI(T1)闪烁探测器用作γ核素活度绝对测量,具有探测效率高、位置依赖性小等优点。除了能精确测定简单衰变纲图的γ核素活度外,还可确定复杂衰变纲图γ核素的活度,以及进行混合核素的分析,总不确定度可达0.1%。这种探测器对于点源、体源、厚源、溶液源等均可测量。避免了4πβ-γ符合法测量时制备专用薄膜源的困难,大大缩短了测量周期。 相似文献
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针对制备衍射光栅时刻划平台倾斜导致的光栅槽型误差,提出了一种基于图像清晰度检测与电动倾斜台调节的光栅刻划平台在线调平装置。建立了图像清晰度与光栅刻划平台倾角间关系的模型,应用该模型,控制光栅刻划平台在一定范围内实现了闭环动态调平。对上述理论研究进行了试验验证。试验结果表明,该调平装置简单可行;对于50mm×50mm的光栅毛胚,调平装置可控制刻划平台的水平倾角在4″以内,满足光栅刻划对平台定位精度的要求。该装置既可用于刻划前的调平准备,也可推广应用于光栅刻划过程中的实时检测。 相似文献
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基于应变梯度理论,提出了一种玻璃基底光栅铝膜本构关系的表征方法。建立了包含基底参数和铝膜参数的本构关系数学模型,并逐一表征了相关参数。进行了79g/mm中阶梯光栅铝膜的纳米压痕实验,验证了上述本构关系表征过程的正确性。提出了光栅薄膜材料和基底材料都具有尺度效应的假设,并应用纳米压痕实验对铝膜的尺度效应和基底效应进行了实验表征。对光栅铝膜压痕实验与含基底压深实验的结果进行了比较,结果显示,在有无基底条件下,压痕结果在应力方向上相差0.8倍,在应变方向上相差3倍。进行了光栅刻划实验,结果显示压痕实验对刻划实验具有重要的指导作用。研究过程及研究结果表明:理论分析和两种实验可有效地分析光栅刻划过程,有助于在实际光栅刻划过程中减小误差,对光栅刻划的工艺过程具有较好的理论指导意义。 相似文献
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基于C/S结构的应用系统客户端和服务端之间的通信处理机制是C/S结构应用系统的重要组成部分.一直以来对于兼顾高速的服务端、友好的用户界面和跨平台的通信没有一个完美的解决方案.为了平衡这一矛盾,本文提出了一种新的通信处理机制.该机制使用不同的编程语言(C 和Java)制作客户端和服务端,采用自定义标注语言和XML相结合的纯字符流进行通信.较好地解决了基于C/S结构的应用系统跨平台跨编程语言快速通信处理的问题.实验结果表明该机制能有效地解决C/S结构应用系统跨平台的通信处理问题. 相似文献
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