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基于CRD对741双极型通用集成运放进行改进研究,通过CRD替代双极型集成运算放大器(OPAMP)输入级及偏置电路中做为恒流源的双极型器件,并利用Multisim 10和Cadence进行设计与仿真。结果表明,当电源电压改变时,双极型运算放大器输入级电流在0.290 mA到0.433 mA变化,而基于CRD的差分输入级电流恒定在0.239 mA到0.244 mA之间,且电流变化只有0.005 mA。当电源电压恒定在13 V时,双极型运算放大器偏置电流达到0.739 mA,而基于CRD偏置电路电流只有0.222 m。由此可知,基于CRD的运算放大器能实现更低功耗。 相似文献
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通过对于GaAs表面形貌在特定As BEP(1.33μPa)、不同温度(570,560,550,540和530℃)下相变过程研究,发现随着温度的降低GaAs预粗糙化过程发生了不同程度的迟滞,在温度降至530℃附近时,延迟现象尤其明显,并且当温度远低于530℃时(As BEP 1.33μPa)GaAs表面将不会发生预粗糙转变。采用二维艾辛模型建立方程结合实验数据对这一现象进行理论解释,理论计算出GaAs预粗糙化相变的临界转变温度为529℃,与实验中获得的数据吻合。采用理论上获得的临界转变温度,利用临界减慢理论对实验现象进行了合理的理论解释,认为在特定条件下GaAs表面系统存在预粗糙化临界转变温度,当衬底温度接近这一温度时,临界减慢现象将会发生;当温度低于临界转变温度时,无论延长多少时间表面形貌相变过程将不会发生。 相似文献
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研究了In液滴法生长InAs量子点时不同衬底温度,以及是否引入退火的量子点生长情况并建立了物理模型。发现In原子沉积在衬底表面会首先沿[11-0]方向形成条状量子线,由于表面能会趋于最小,量子线会分裂成小段成为量子点的核心,当衬底温度从460℃上升至480℃时,量子点增多的同时量子线减少,且纳米结构的平均高度从4.09nm上升至4.58nm。在衬底温度为480℃的条件下引入退火后,扫描区域内只存在量子点结构,纳米结构平均高度上升至8.56nm。认为In液滴法生长量子点,是一个先形成量子线,量子线再分裂形成量子点的核心,继而捕捉由ES势垒束缚在台阶边缘的原子形成量子点的过程,退火的引入会促进量子线-量子点的转化,提高尺寸均匀性,并由此建立了物理模型。 相似文献
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从In组分、生长温度和As BEP 3个参数出发,利用RHEED和STM技术深入研究了In_xGa_(1-x)As/GaAs异质薄膜的临界厚度。研究发现In的组分直接决定了In_xGa_(1-x)As/GaAs异质薄膜的临界厚度,而生长温度和As BEP的差异也在很大程度上对临界厚度产生重要影响。在特定的生长温度和As BEP下,In_xGa_(1-x)As/GaAs的临界厚度随着In组分的减小呈指数增加,尤其是当In组分20%时临界厚度将趋于无穷大。对于特定In组分的In_xGa_(1-x)As/GaAs异质薄膜来说,当生长温度相同时,临界厚度随着As BEP的增加而迅速增大;而在As BEP相等时,临界厚度将随着生长温度的增加而减小;不同生长温度之间临界厚度的差异将随着As BEP的减小而不断减小,到更低As BEP时甚至将趋于相等。 相似文献
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