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氢气是一种理想的可再生清洁能源。利用快速灵敏、准确可靠的氢气传感器对环境中的氢气浓度进行实时监测,是保障氢能安全应用的关键。研制可在常温下快速准确运行的新型半导体氢气传感器是本领域研究人员关注的热点。本文采用一步水热法合成Ni掺杂SnO2纳米棒,研究了Ni掺杂含量对产物物相、形貌、组分和氢敏性能的影响。结果表明,Ni掺杂SnO2纳米棒为四方金红石结构,随着Ni/Sn原子百分比从1.1%提升至16.7%,纳米棒直径降低、长径比提升,对3000ppm氢气的响应度呈先增大后减小的趋势。当Ni/Sn原子百分比为3.7%时,所得氢敏元件性能最佳,其响应度和响应时间分别为79.11和71 s,且具有优异氢气选择性。Ni掺杂引起材料长径比和氧空位缺陷浓度增加是材料性能提升的主要原因,该方法可为开发高性能室温半导体氢气传感器提供可行途径。 相似文献
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