阶跃电压法确定产生寿命的计算公式

采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。     

抛物线型势阱二维电子气能级的解析解

从玻尔-索末菲量子化条件出发,以抛物线势阱为模型,建立了硅MOS结构表面反型层中二维电子气能级E满足的超越方程,并从该方程得到了能级E的解析表达式。该式能够非常简单地确定出抛物线型势阱中的能级,而不需要数值求解薛定谔方程。     

硅MOS结构C-t瞬态分析中产生区宽度的新模型

在分析已有的半导体表面产生区宽度模型的基础上，提出了可用于产生寿命直接计算且精度较高的产生区宽度新模型，它也可以看作是对Zerbst模型的一种修正。新模型的标准偏差小于Pierret模型的标准偏差。实验数据的分析表明，用该模型得到的产生寿命值与Rabbani模型的结果基本一致。     

阶梯栅氧结构的NLDMOS热载流子效应研究

本文对一种新型的阶梯栅氧结构的NLDMOS（Step Gate Oxide NLDMOS , SG-NLDMOS）的热载流子效应进行了研究。采用直流电压应力实验、TCAD仿真、电荷泵测试等方法,对退化现象进行了分析,并提出了退化机制。然后研究了漂移区注入剂量对器件热载流子效应的影响,结果表明低的漂移区注入剂量可以更有效地减小器件导通电阻的退化。     

一种适合于计算机辅助测量的产生寿命确定方法

提出了MOS电容线性电压扫描法产生寿命测量的新方法。通过在MOSC t曲线上读取n个不同时刻的电容值 ,计算出相应的产生寿命值 ,其精度随读取点的增加而提高 ,该方法也特别适合于计算机辅助测量系统。     

注入水平对测试少子扩散长度影响的计算机模拟

通过计算机数值求解半导体的基本方程，模拟了表面光伏（ＳＰＶ）法测量Ｎ型硅少子扩散长度时注入水平对测量值的影响。结果表明，当注入水平较高时，少子扩散长度的测量值变长。模拟结果与已公开发表的实验结果一致。     

适用于少子产生寿命CAM的线性电压扫描法

提出了 MOS电容线性电压扫描法测量半导体少子产生寿命的新方法。通过在 MOS C-t瞬态曲线上读取 n个不同时刻的电容值 ,确定出相应的少子产生寿命值。该方法基于最小二乘法原理 ,可有效地消除测量误差的影响 ,其精度随读取点的增加而提高 ,特别适合于少子产生寿命的计算机辅助测量。     

适用于PSPICE图形化输入的四端口MOSFET模型的创建

OrCAD PSPICE是一个在PC机上应用比较广泛的电路模拟工具.在模拟IC设计时为了考虑体偏效应,需要具有栅G、源S、漏D、体B四个端口的器件,但PSPICE并不提供该器件的图形化输入,而且对于不同的生产工艺其SPICE模型也不相同.本文建立了适用于特定工艺的用于图形化输入方式的四端口MOSFET模型.模拟结果表明所建模型具有正确的器件特性,而且在IC中模拟的结果也是正确的,适用在PC机上应用OrCAD PSPICE软件进行含四端口MOSFET的电路的图形化输入工作.     

少子产生寿命计算机辅助测量及应用的研究

研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量 ,设计了相应的产生寿命 C- t瞬态测量系统 ,能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的自动化 ,提高了测量速度和准确度。应用于传统的“Zerbst图”法 ,可在原理和数据处理两方面得到较大的改善。