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在GaSb衬底上用LPE法生长了晶格匹配的AlGaAsSb外延层。用室温光致发光和X射线双晶衍射分别测量了材料的禁带宽度和晶格常数,并与用内插法计算的结果进行了比较。用C-V和van der Pauw法测量了样品的电学参数。用激光喇曼散射和低温光致发光研究了材料的光学性质,观察到了类GaSb的LO模和类AlSb的LO模以及LO声子与等离子激元的耦合模L_-;对x=0.2,y=0.025的样品,由低温到室温的变温光致发光测量确定的禁带宽度的温度系数为-3.2×10~(-4)eV/K。此外对于晶格失配,P型的原因以及PL谱峰的展宽等问题进行了讨论。 相似文献
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利用RDS测试系统,可以在近垂直入射条件下,测量出样品的反射系数在样品平面内两个互相垂直的方向上的细微差异,即所谓平面内光学各向异性,它对研究半导体材料及其量子阱超晶格等低维结构中的平面内光学各向异性、半导体表面重构和对外延生长过程中的实时监控都具有重要作用,本系统已为研究工作提供了大量数据。 相似文献
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