粉浆法制备平面荧光粉涂层白光LED的技术改进

基于粉浆法制备白光LED能得到厚度可控的荧光粉层,改善了白光LED的均匀性.由于芯片长时间工作时表面的发热以及回流焊时的瞬间高温环境,聚乙烯醇(PVA)感光胶的颜色容易发生改变,影响了白光LED光效的稳定性.本文采用等离子体去胶,实验结果表明,通过该方法能有效去除感光胶,处理后的LED不会因为长时间工作荧光粉表面涂层的...     

平面涂层的白光LED封装技术

基于自曝光的平面涂层白光LED封装工艺,该方法是采用聚乙烯醇与重铬酸铵的水溶性感光胶,通过采用自身蓝光芯片曝光得到自适应平面,最后运用等离子体去胶技术得到只剩下荧光粉层的平面涂层.通过采用九点法测试不同封装结构的白光LED的光斑均匀性、光谱色度以及光效.实验结果表明,自曝光的平面涂层工艺制备的白光LED,其颜色的均匀性要明显优于传统的点胶工艺和喷涂的平面工艺,其制得的白光LED的光效也不比这两种工艺差.     

高分子网络凝胶法制备YAG:Er~(3+)纳米晶粉体及其光谱性质

采用高分子网络凝胶法,在较低温度下制备了YAG:Er~(3+)纳米晶粉体.分别用热重-差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及激发和发射光谱对样品进行了表征.结果表明:石榴石晶相的形成温度为880℃,与YAG纳米晶粉体相比,用Er~(3+)代替Y~(3+)后,YAG:Er~(3+)纳米晶粉体还是以石榴石晶相为主,未发生明显变化;YAG:Er3~(3+)纳米晶粉体有丰富的吸收谱线,并且在260nm激发光激发下YAG:Er~(3+)纳米晶粉体可以发射出377nm紫光,可以作为紫光光源的考虑对象.     

ZnO∶Al替代ITO作透明导电膜的应用

研究了AZO(ZnO∶Al)替代ITO透明导电膜在GaN基LED中的应用,通过脉冲激光沉积和磁控溅射法制作了AZO薄膜,分析了AZO与p型GaN不良的欧姆接触的物理机理,并利用插入ITO薄层来改善接触电阻,实验用ITO 20nm/AZO 500nm的复合导电薄膜做透明导电薄膜,成功得到了波长为525.74nm、亮度为380.88mcd、电压为3.35V的GaN基绿光LED芯片,相当于单一ITO透明导电膜的性能,整个试验工艺中减少了ITO的使用量,降低了LED芯片的制造成本。     

脉冲调制的超高亮度白光LED制伏器的研究

脉冲调制的超高亮度白光LED制伏器采用功率型白光LED模组集成化封装并配合高效光学镜头,在频率0～100Hz范围、占空比0～ 100％可调的脉冲驱动系统的驱动下,来实现满足LED制伏器要求的高功率超高亮度脉冲调制白光LED光源,可以在使用者安全距离以外(5 m以上)远处达到大于105 lx的照度,超过太阳光在地球表面1...