多孔SiC陶瓷烧结体的导电特性

利用聚碳硅烷热分解形成的碳化硅，将工作碳化硅颗粒粘结在一起，形成多孔的碳化硅烧结体。文中给出了烧结体的微观分析，热分析和结构分析的结果。同时还给出了烧结时不同 量与常温电阻关系。对实验结果从掺杂，减少富碳和钝化表界面悬挂键几个角度进行了讨论，结果表明三者的影响对电阻率的变化趋势是一致的。     

NiO_xH_y 能效窗口薄膜的电致变色性

介绍了用于能效窗口的直流溅射氢氧化镍电致变色薄膜的电变色性能。讨论了不同偏置条件下的光透过谱线和循环伏安特性，薄膜厚度与光密度的变化关系，以及不同厚度的电致变色薄腊与太阳光透过率的关系。同时对电色薄膜的时间响应特性、光密度变化与注入的电荷密度的联系也进行了研究。结果表明，直接采用氢氧化镍作为制备电致变色薄膜的靶材，获得的薄膜有良好的电致变色性能，薄膜不需激活就有良好的初始电色特性。初步讨论了镍电致变色的机理，用能带理论可以定性说明镍电致变色薄膜的消着色机理。     

硅太阳电池发射区复合的分析

本文全面考虑了太阳电池发射区的重掺杂效应,计算了高斯分布下,表面杂质浓度和表面复合速度对内部复合速度及发射区暗电流的影响.     

电子镇流器控制集成电路ML4830／4831

本文介绍了微线性公司（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｎｅａｒ）制造的一种电子镇流器核心控制集成电路及其工作原理。该电路包括功率因数校正电路和灯光亮度调整的自保护电路，是电子镇流器向智能功率集成的一个很好实例。     

NiOxHx能效窗口薄膜的电致变色性

介绍了用于能效窗口的直流溅射氢氧化镍电致变色薄膜的电变色性能。讨论了不同偏置条件下的光透过谱线和循环伏安特性，薄膜厚度与光密度的变化关系，以及不同厚度的电致变色薄膜与光透过度的关系。同时对电色薄膜的时间响应性、光密度变化与注入的电荷密度的联系也进行了研究。