退火温度对ZnO掺杂ITO薄膜性能的影响

利用电子束蒸镀方法,在K8玻璃衬底上沉积ZnO掺杂ITO(ZnO-ITO)与ITO薄膜。研究不同退火温度对ZnO-ITO薄膜的微观结构的影响;对比分析了在不同退火温度条件下,ZnO-ITO和无掺杂ITO薄膜的光电性能。结果发现,ZnO-ITO薄膜具有较大的晶粒尺寸,随着退火温度的上升,晶体结构得到改善,表面粗糙度减小,薄膜的光电性能显著提高。ZnO-ITO薄膜经过500℃退火后得到最佳的综合性能,其表面均方根粗糙度(RMS)为32.52nm,电阻率为1.43×10-4Ω.cm;对442nm波长的光,透射率可达98.37%;与ITO薄膜相比,ZnO-ITO薄膜具有显著的抗PEDOT:PSS溶液腐蚀的能力。     

基于正交实验法的高亮度大功率LED仿真设计

采用正交实验法分析反射碗和透镜两部件的各个因素对LED发光强度分布的影响,并仿真设计出优化参数后的高强度、窄光束大功率LED.这一设计方法对LED的一次光学系统设计具有一定的指导意义,并有助于提高大功率LED光学系统设计的效率,降低LED封装的试验成本.     

基于双蓝光有源区激发YAG:Ce荧光粉的高显色性白光LED

在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,分别生长含有p-AlGaN电子阻挡层和反对称n-AlGaN层的双蓝光波长发射的InGaN/GaN混合多量子阱发光二极管(LED)。结果发现,与传统的具有p-AlGaN电子阻挡层的双蓝光波长LED相比,这种n-AlGaN层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性和减少电子溢出,并减弱双蓝光发射光谱对电流的依赖性。此外,基于这种双蓝光波长发射的芯片与YAG:Ce荧光粉封装成白光LED能实现高显色性的白光发射,在20 mA电流驱动下,6500 K色温时显色指数达到91,而基于单蓝光芯片的白光LED显色指数只有75。     

实现双蓝光波长发光二极管光谱均衡辐射的研究

采用数值分析方法进行模拟分析InGaN/GaN混合多量子阱中不同活性层结构对GaN基双蓝光波长发光二极管光谱的影响。结果发现只依靠改变活性层中的In0.12Ga0.88N/GaN量子阱和In0.18Ga0.82N/GaN量子阱的数量或位置,难以有效改善电子空穴在混合多量子阱中的分布和实现双蓝光均衡辐射。但随着p-AlGaN层的移去和n-AlGaN层的引入,或在量子阱引入应力补偿层AlGaN,能有效实现双蓝光平衡辐射。     

Study of dual-blue light-emitting diodes with asymmetric AlGaN graded barriers

A dual-blue light-emitting diode （LED） with asymmetric A1GaN composition-graded barriers but without an AlGaN electron blocking layer （EBL） is analyzed numerically. Its spectral stability and efficiency droop are improved compared with those of the conventional InGaN/GaN quantum well （QW） dual-blue LEDs based on stacking structure of two In0.18Ga0.szN/GaN QWs and two In0.12Ga0.88N/GaN QWs on the same sapphire substrate. The improvement can be attributed to the markedly enhanced injection of holes into the dual-blue active regions and effective reduction of leakage current.     

移去电子阻挡层对双蓝光波长LED性能的影响

采用数值分析方法进行模拟分析In Ga N/Ga N混合多量子阱中移去p-Al Ga N电子阻挡层对Ga N基双蓝光波长发光二极管(LED)性能的影响。结果发现,与传统的具有p-Al Ga N电子阻挡层的双蓝光波长LED相比,移去电子阻挡层能有效地改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性,实现电子空穴在各个量子阱中的均衡辐射。在小电流驱动时,移去电子阻挡层器件的发光功率要明显优于具有电子阻挡层的器件;而在大电流驱动时,电子阻挡层能有效地减少电子溢流,改善器件的发光效率。