高纯气体中痕量金属杂质的测定

本工作深入研究了高纯氮、氢、氯化氢、氨、硼烷、硅烷、砷烷及磷烷中钼、钙、铬、铜、铁、钾、锰、钠、铅和锌十种常见金属杂质的测定方法,解决了易燃、易爆及剧毒气体的取样,溶液的吸收条件及基体分离等问题.建立了无火焰原子吸收光谱法测定ng·g~(-1)量级的杂质,方法灵敏,简便,对生产及研制工艺将起积极的指导作用.     

高纯水、硅及硅表面二氧化硅薄膜中痕量钠的原子吸收分光光度法测定

建立了无火焰原子吸收分光光度法对高纯水、高纯硅及硅表面二氧化硅薄膜中痕量钠的测定方法.在局部净化,严格的试剂提纯及操作的情况下,可以达到试剂及空白稳定,适宜测定高纯硅及硅表面二氧化硅薄膜中毫微克级的钠含量,对高纯水中的钠可直接测定到0.1毫微克/毫升,在停气状态下检出极限可达2×10~-(12)克钠.方法简便、快速、准确、灵敏,经大量的样品分析检验,本方法能满足大规模集成电路生产工艺中钠离子沾污的测定.     

光刻胶中氟的测定

无显影光刻技术是一项半导体器件的新工艺,它简化了工艺流程,在研制和生产大规模集成电路工艺过程中,将显示出其优越性.为了配合探索良好的工艺条件:如光刻胶的用量、曝光时间、通氢氟酸的时间和温度等,对光刻胶中氟的含量进行了系统的测定,以此控制工艺流程.