排序方式： 共有3条查询结果，搜索用时 15 毫秒
1
1.
设计了一个工作在3.0V的10位40MHz流水线A/D转换器,采用了时分复用运算放大器,低功耗的增益自举telescopic运放,低功耗动态比较器,器件尺寸逐级减小优化功耗.在40MHz的采样时钟,0.5MHz的输入信号的情况下测试,可获得8.1位有效精度,最大积分非线性为2.2LSB,最大微分非线性为0.85LSB,电路用0.25μm CMOS工艺实现,面积为1.24mm2,功耗仅为59mW,其中同时包括为A/D转换器提供基准电压和电流的一个带隙基准源和缓冲电路. 相似文献
2.
一个59mW 10位40MHz流水线A/D转换器 总被引：6，自引：2，他引：4
设计了一个工作在3.0V的10位40MHz流水线A/D转换器,采用了时分复用运算放大器,低功耗的增益自举telescopic运放,低功耗动态比较器,器件尺寸逐级减小优化功耗.在40MHz的采样时钟,0.5MHz的输入信号的情况下测试,可获得8.1位有效精度,最大积分非线性为2.2LSB,最大微分非线性为0.85LSB,电路用0.25μm CMOS工艺实现,面积为1.24mm2,功耗仅为59mW,其中同时包括为A/D转换器提供基准电压和电流的一个带隙基准源和缓冲电路. 相似文献
3.
提出了一种全新的基于铁电存储器FeRAM编程的非挥发FPGA思想(概念)，它主要是针对基于SRAM的FPGA的掉电挥发性问题提出的。文章在采用传统2T—2C结构的铁电存储单元的基础上完成数据的编程操作，并进一步对上述单元进行了电路和时序上的调整设计，提出了在FPGA工作环境下虽破坏性读出但无需回写的铁电存储单元。通过对文中提及的两种单元电路的仿真模拟，实现了编程数据的摔电保护、上电恢复的非挥发功能，初步验证了基于FeRAM编程的非挥发FPGA思想的正确性和可行性。 相似文献
1