小泡径石榴石磁泡材料离子注入层的CEMS研究

近年来,用~(57)Fe的内转换电子穆斯堡尔谱学(CEMS)对离子注入层的磁性进行了一些研究。这些试样的泡径较大。随着磁泡技术向小泡径发展,而小泡径材料的垂直膜面的磁单轴各向异性较大,因此,它将给离子注入带来什么新的问题就为人们所关心。本文报道我们用CEMS对小泡径磁泡石榴石材料离子注入层所作的一些研究。     

离子注入精密摩擦付的橡拟实验研究

精密摩擦付是每种具有转动或滑动动作的精密机械的关键零件。从使用的角度来看,它的质量直接决定着整机的技术指标。制造经久耐用的精密摩擦付对于提高整机性能有二重意义:其一,长寿命摩擦付自然延长整机的使用寿命,减少零件耗损与整机维修时间,有很大的经济意义;其二,对于特定的使用场合,机器一经启动,在相当长的时间内不可停机,长寿命精密摩擦付就更加显示出其重要性了。从制造的角度来看,精密摩擦付允许公差很小,只有     

离子注入GaAs Hall元件的不等位电势

实验得到Hall元件的不等位电势Vo与元件的不对称因子和薄层电阻两者乘积成正比。实验表明,对离子注入Hall元件,Vo主要由载流子浓度分市的均匀性决定,均匀性好,Vo小,成品率高。通过提高注入剂量并采用轻度腐蚀减薄方法,可得到较高的元件灵敏度和较小的Vo。     

Si~+注入SOS中退火固相外延再生长改善结晶质量

本文研究Si~+室温深注入(150～160keV,1～3×10~15/cm~2)SOS中600+1050℃两步退火固相外延再生长改善SOS膜界面附近结晶质量和Si~+室温浅注入(85keV,3×10~(15)/cm~2)SOS中600+1050℃两步退火固相外延再生长改善SOS膜表面结晶质量的工艺.180keVH~+沟道效应—背散射测量表明,两步Si~+注入和两步退火团相外延再生长工艺能够有效地改善SOS膜结晶质量°表面归一化最小产额x_o、界面最小产额x_i 和退道率dx/dz分别减小到0.06、0.12和0.19/μm.     

离子注入在金属材料中的应用及分析

在真空系统中利用加速器把电离的阳离子加速后,打入金属材料的表层内,以改变材料表面的物理化学性能的离子注入新技术,在材料科学研究中具有广阔的前途。国际上对金属表面离子注入的研究十分活跃,连续召开过“离子束材料改性”及“离子束分析”国际学术会议。离子注入的优点在于对任何元素的离子都可以利用注入技术,不受合金系统平衡相图的限制;可以获得其它常规方法无法制备的新型合金;注入层与基体材料之间无界面存在;注入后金属表面的光洁度和尺寸精度不变;注入的能量和剂量可以精确控制。离子注入使材料表面改性,包括化学改性,物理     

半绝缘InP注硅的无包封退火

掺Fe半绝缘 InP材料室温下注入Si~+,在 650℃无包封退火15 min,辐射损伤已可消除;但是Si的充分电激活则需要较高的退火温度.无包封下即使在 750℃退火 30 min,样品表面貌相也未被破坏.用能量E=150keV注入Si~+、剂量φ为1× 10~(13)、5 × 10~(13)和1×10~(14)cm~(-2)的样品.在750℃无包封退火15min,最高载流子浓度n_s分别是8×10~(13)、3.9×10~(13)和 6.3 ×10~(13)cm~(-2),其中φ为 1×10~(13)cm~(-2)的样品,霍耳迁移率μ_n为 2100 cm~2/V·scc.     

离子注入提高金属材料耐磨性的初步研究

本文介绍利用国产200KeV离子注入机,能量60～100KeV,剂量(2～8)×10~(17)/cm~2的氮离子注入,提高金属材料耐磨性的研究结果。YW_1硬质合金车刀,经离子注入后比没有注入的磨损减少一半,YG8钢丝拉丝模和YG3铜线扭丝模离子注入后的使用寿命分别提高2.2倍和2.4倍。利用X射线衍射仪,X射线应力分析仪,离子探针,扫描电镜等对离子注入后的金属表面分析结果表明:离子注入使金属表面晶格产生畸变,使金属表面产生应变硬化,注入杂质原子与位错交互作用,使位错被钉扎,位错运动受到阻碍,在磨损过程中,注入氮原子不断向内部推移,从而提高了材料的耐磨性。     

小泡径石榴石磁泡材料离子注入层的内转换电子穆斯堡尔谱研究

对小泡径石榴石磁泡材料进行了~(57)Fe的内转换电子穆斯堡尔谱(CEMS)的研究。样品的名义成份是(YLu Bi)_3(FeGa)_3O_(12)。注入100keV Ne~ ,剂量D为5×10~(13)～1×10~(14)Ne~ /cm~2时出现△m=0的2、5峰,表明表层磁化强度矢量M_s倾向膜面,发现此时离子注入造成的应力感生的磁平面各向异性不一定很大。D=2×10~(14)Ne~ /cm~2时,仅得顺磁谱,但a、d晶位可辨。D≥7×10~(13)Ne~ /cm~2时,硬泡被抑制。用磁不等效晶位的概念唯象地解     

GaAs-GaAlAs DH激光器暗线(DLD)的观察

<正> 一、引 言 GaAs-GaAlAs双异质结激光器(以下简称 GaAlAs DH激光器)的退化是人们很关心的问题.现在看来,器件退化主要有二种形式:快退化和慢退化.GaAlAs DH激光器有源区暗线的增长是器件快退化的主要原因之一.暗线的形成一般在几分钟到几十小时,因此在器件短期老化后如能方便地对器件内部发光情况进行观察并结合进行如阈值、微分量子效率、热阻、伏安特性等测试,将有助于器件退化原因的分析,有利于改进外延与制