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1.
为了利用有机三线态发光提高有机发光器件的发光效率,用磷光材料掺杂到聚合物主体中作为发光层,制备有机电致发光器件.在测量器件的电流-电压特性、发光亮度-电压特性和电致发光谱的基础上,计算了器件的外量子效率,研究了磷光材料的掺杂浓度对器件发光效率的影响.结果表明,对特定的材料体系,适当控制掺杂浓度,可以同时观察到荧光和磷光光谱,使掺杂器件的外量子效率在纯聚合物发光器件的基础上得到明显提高.  相似文献   
2.
为了研究简单结构有机电致发光器件的发光性能,采用PEDOT:PSS作为空穴输运层,Spire作为电子输运层和发光层,以金属Ba覆盖以金属AI作阴极,制备双层结构有机电致发光器件,得到性能稳定的蓝色发光。测量器件的电流密度-电压特性、发光亮度-电压特性和电致发光谱,计算了器件的外量子效率。结果表明,器件电流以陷阱电荷限制电流为主,最大发光亮度为3544cd/m2,最大外量子效率达2.40%。  相似文献   
3.
基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对ZnS(Cu,Cl、Br、I)共掺杂体系的晶格结构和电子性质进行了研究。结果表明,相对于单掺杂ZnS体系,补偿型的共掺ZnS体系形成能更低,更有利于提高可见光的催化效率,且由于p-d电子排斥效应使价带向高能方向展宽,而Cu的3p态与非金属原子的杂质态使导带底下移,从而使共掺杂ZnS体系的能带带隙变窄,尤其是CuZnBrS-ZnS带隙值减少了30%,从而延伸吸收边界到可见光区域。且CuZnBrS-ZnS中m*e/m*h相对较大,降低了电子-空穴对重组率,提高了量子效率。最后对补偿型共掺ZnS电子结构进行了讨论。  相似文献   
4.
为了明确有机电致发光器件(OLED)双极自旋注入中电场的影响,从漂移扩散方程和载流子浓度连续性方程出发,结合泊松方程得出了注入载流子运动的微分方程,计算了自旋极化载流子浓度和自旋扩散长度的关系,讨论了电场对自旋扩散长度的影响.计算结果表明:电场通过改变自旋扩散长度来影响自旋极化载流子的运动.对电子来说,电场方向和扩散方向相同时,电场增大会导致自旋扩散长度减小,扩散变快,电子深入样品的平均距离小,不利于在有限厚度薄膜中获得高自旋极化率;电场方向和扩散方向相反时,电场越大,自旋扩散长度越大.有利于获得高自旋极化率.对空穴来说,情况正好相反.还讨论了电场对双极白旋极化注入的影响.  相似文献   
5.
为了利用有机三线态发光提高有机发光器件的发光效率,用磷光材料掺杂到聚合物主体中作为发光层,制备有机电致发光器件.在测量器件的电流-电压特性、发光亮度-电压特性和电致发光谱的基础上,计算了器件的外量子效率,研究了磷光材料的掺杂浓度对器件发光效率的影响.结果表明,对特定的材料体系,适当控制掺杂浓度,可以同时观察到荧光和磷光光谱,使掺杂器件的外量子效率在纯聚合物发光器件的基础上得到明显提高.  相似文献   
6.
以液晶5CB材料为研究对象,观察不同相(晶体相,向列相,各相同性相)下液晶5CB的磁化强度随外磁场变化情况,并进行数据处理分析,实验结果表明,外磁场强度在-5 000 A/m~5 000 A/m范围内变化时,液晶5CB表现出顺磁性,当外磁场强度值继续增加时,液晶5CB显示出抗磁性,对实验数据进行数值分析得出,在不同的外磁场强度范围内,不同相下液晶5CB磁化强度变化规律基本满足线性方程,当外磁场强度由临界值逐渐减小时,处于液晶相和各相同性相的液晶5CB出现不同程度的磁滞现象,考虑到液晶盒的锚定作用,得到液晶5CB在不同相下磁化规律的拟合直线方程,各有其特点,因此可以通过分析不同直线斜率和截距,从而判断出液晶5CB所处的不同状态. 也可以根据液晶5CB的不同直线方程得出外磁场强度的变化范围.  相似文献   
7.
以醋酸锌(Zn(CH_3COO)_2·2H_2O)和硫脲(CN_2H_4S)为原料,以乙醇胺(HO(CH_2)_2NH_2)为溶剂,通过化学水浴沉积法(CBD)成功制备了片状,球状和刺球状的ZnS纳米结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线粉末衍射技术(XRD)、拉曼光谱表征(Raman spectra)、表面光伏电压(SPV)等技术对其进行表征并光学性能研究,并以亚甲基蓝为目标降解物对其紫外光催化活性进行了研究。结果表明刺球状的ZnS纳米结构具有很高的紫外光催化活性,比其它表面粗凑度较低的纳米结构有很大的提高,在紫外光照射下对亚甲基蓝的降解效率可以接近100%。  相似文献   
8.
为了研究简单结构有机电致发光器件的发光性能,采用PEDOT∶PSS作为空穴输运层,Spiro作为电子输运层和发光层,以金属Ba覆盖以金属Al作阴极,制备双层结构有机电致发光器件,得到性能稳定的蓝色发光。测量器件的电流密度-电压特性、发光亮度-电压特性和电致发光谱,计算了器件的外量子效率。结果表明,器件电流以陷阱电荷限制电流为主,最大发光亮度为3544cd/m2,最大外量子效率达2.40%。  相似文献   
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