Tat修饰Au-Au2S纳米颗粒的合成及其穿膜机制

为了实现对肿瘤的靶向性药物/基因治疗,通过化学还原法制备了细胞穿膜肽Tat修饰的Au-Au₂S纳米药物载体。采用透射电镜、表面增强拉曼光谱仪、紫外分光光度计对Tat/Au-Au₂S纳米粒子进行表征,采用流式细胞仪、激光共聚焦显微镜研究Tat/Au-Au₂S纳米粒子的穿细胞膜机制。理化分析结果表明,Tat可通过Au—S键接枝于Au-Au₂S纳米粒子表面, 直径约50 nm的Tat/Au-Au₂S纳米粒子具有近红外敏感性。细胞内化途径示踪物共定位分析和抑制剂阻断实验表明, Tat/Au-Au₂S纳米粒子以脂筏介导的巨胞饮途径进入Hela细胞, 而以受体和脂筏共介导的巨胞饮途径进入骨髓间充质干细胞（BMSCs）。      

压力管道监检工作的几点意见

针对压力管道安装工作存在的一些突出问题进行分析,并对压力管道安装监督检查工作的重要性、必要性提出几点意见。     

在SiO_2中掺Al对Au/纳米(SiO_2/Si/SiO_2)/p-Si结构电致发光的影响

利用射频磁控溅射方法 ,制成纳米 Si O2 层厚度一定而纳米 Si层厚度不同的纳米 (Si O2 / Si/ Si O2 ) / p- Si结构和纳米 (Si O2 ∶ Al/ Si/ Si O2 ∶ Al) / p- Si结构 ,用磁控溅射制备纳米 Si O2 ∶ Al时所用的 Si O2 / Al复合靶中的 Al的面积百分比为 1% .上述两种结构中 Si层厚度均为 1— 3nm ,间隔为 0 .2 nm .为了对比研究 ,还制备了 Si层厚度为零的样品 .这两种结构在 90 0℃氮气下退火 30 m in,正面蒸半透明 Au膜 ,背面蒸 Al作欧姆接触后 ,都在正向偏置下观察到电致发光 (EL ) .在一定的正向偏置下 ,EL强度和峰位以及电流都随 Si层厚度的增加而     

在SiO2中掺Al对Au/纳米(SiO2/Si/SiO2)/p-Si 结构电致发光的影响

利用射频磁控溅射方法,制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米(SiO2/Si/SiO2)/p-Si结构和纳米(SiO2∶Al/Si/SiO2∶Al)/p-Si结构,用磁控溅射制备纳米SiO2∶Al时所用的SiO2/Al复合靶中的Al的面积百分比为1%．上述两种结构中Si层厚度均为1—3nm,间隔为0.2nm．为了对比研究,还制备了Si层厚度为零的样品．这两种结构在900℃氮气下退火30min,正面蒸半透明Au膜,背面蒸Al作欧姆接触后,都在正向偏置下观察到电致发光（EL）．在一定的正向偏置下,EL强度和峰位以及电流都随Si层厚度的增加而同步振荡,位相相同．但掺Al结构的发光强度普遍比不掺Al结构强．另外,这两种结构的EL具体振荡特性有明显不同．对这两种结构的电致发光的物理机制和SiO2中掺Al的作用进行了分析和讨论．