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清洗后硅片表面的电子结构 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗工艺。利用红外吸收谱、X射线光电子谱和原子力显微镜等 ,把它和标准 RCA清洗工艺的清洗效果做了比较。测试结果表明 ,经清洗过的硅片表面主要是由硅、氧和碳三种元素组成 ,它们分别以 Si-O键、C-O键和 Si-C键的形式存在。两种清洗技术都在硅片表面产生氧化硅层 ,在硅片表面都存在有机碳污染 ,但新型半导体清洗工艺产生的有机碳污染少于标准 RCA清洗。在对硅片表面的粗糙化影响方面 ,新型半导体清洗技术清洗明显优于标准 RCA清洗技术 相似文献
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一、政策依据2011年,中央一号文件明确提出“实行最严格的水资源管理制度”,确立水资源开发利用控制、用水效率控制、水功能区限制纳污“三条红线”,着力解决当前水资源过度开发、用水浪费、水污染严重三大突出问题。根据一号文件要求,山东省政府、省水利厅、省水文局发布《山东省用水总量控制管理办法》(山东省人民政府令第227号)、《山东省区域年度用水总量监测暂行办法》(鲁水政字[2010]15号)、《关于全面启动全省区域用水总量监测工作的通知》(鲁水文字[2010]121号)等文件,全面部署用水总量监测工作,莱西市水文局根据青岛市水文局要求,提高认识,统一思想,精心组织,密切协作,全力搞好各项监测工作。 相似文献
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