安全工作量化管理初探

安全工作应当如何做．才能达到安全健康的目的，这个问题一直困扰着一代代的企业经营者和各级政府官员们。经过多年的实践、探索、研究、总结、交流和论证．人们逐步积累了许多经验．从中理出了一整套切实可行的控制事故的方法，那就是安全法规、规章制度和质量标准。但这些用无数前人生命和鲜血换来的法规、制度在贯彻、落实、执行过程中却不尽是很顺畅．总有一些人弄虚作假、投机取巧地不执行，致使重大恶性事故连续不断。究其原因．笔者认为是缺乏一个科学地落实安全法规的运行软件工具，一把尺子，一种衡器。那就是安全工作的量化管     

矿山压力对采煤及顶板控制的影响

在一般情况下,矿压的显现给煤矿地下开采带来一定程度的危害。矿山压力的存在是客观的,它存在于采动空间的周围岩体中,它是矿山压力显现的原因。本文主要阐述了采煤工作面矿山压力控制和矿井压力控制的作用等问题。     

600MW超临界锅炉中隔墙开裂原因分析

针对600 MW锅炉安装现场反复出现12Cr1MoV中隔墙开裂的现象,对开裂管段进行宏观、金相、电镜、化学、力学等分析,认为焊接和热处理过程中产生的焊接应力在强拘束条件下诱发鳍片焊接缺陷扩展是导致中隔墙管材开裂的原因,提出扩大加热范围和加长鳍片割开长度避免裂纹缺陷的建议.     

机电安装工程的项目管理

机电设备安装及调试是企业改造的核心内容为了能够更好的完成机电安装工程,对机电安装进行项目管理的工作越来越重要,本文分析了机电安装工程项目的特点,对机电安装工程项目管理进行阐述。     

栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响

阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题，而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时间的变化量，总结了三种电荷面密度变化量在不同应力时间下的变化规律，分析了其对器件阈值电压不稳定性的影响，同时推测了长时间偏压作用下SiC MOSFET阈值电压稳定性的劣化机制。测试结果表明，栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度在不同偏压温度下随应力时间的变化规律不同，常温应力下器件阈值电压稳定性劣化主要与栅氧化层陷阱电荷有关，而高温下，则主要与界面陷阱电荷有关。     

SiC掺氯热氧化技术与SiC MOS电容偏压温度不稳定性

偏压温度不稳定性(BTI)是影响SiC MOS器件性能的关键因素。提出了一种制备SiC MOS电容的新工艺，即在SiC干氧氧化气氛中掺入氯化氢(HCl),并对比了不同HCl与O₂体积流量比对SiC MOS电容电学性能的影响。结果表明，该工艺有效地改善了SiC MOS电容的栅氧击穿特性，降低了界面态密度，提升了平带电压稳定性。二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子能谱(XPS)测试分析表明，掺氯热氧化技术能够有效消除界面缺陷。进一步分析表明，SiC掺氯热氧化技术能够降低可动离子面密度和氧化层陷阱电荷密度，能够有效改善器件的BTI特性。