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综述了SiGe应变层的基本性质,包括SiGe应变层的临界厚度与超晶格的稳定性、带隙和能带变化、折射率
增量以及等离子色散效应。总结了材料生长中释放应力的两种形式,包括位错和表面起伏。最后介绍了SiGe/Si应变量
子阱光电探测器和红外焦平面阵列探测器的进展及其应用前景。 相似文献
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阐述了太阳电池的工作原理,并给出非晶硅基薄膜太阳能电池的物理模型。对非晶硅薄膜组件在不同辐照度下的输出特性进行了测量。设计了非晶硅薄膜组件独立系统,并监测其输出特性,对测试结果进行了分析。测试结果表明室内组件的转换效率与室外测试所得到的结果相吻合,说明非晶硅薄膜组件所设计的光伏系统在辐照度差的地区具有更高的可靠性和转换效率。 相似文献
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