铝-RIE刻蚀工艺

干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最大。此外 ,本文还给出 RF功率和气压的影响。采用适当的气体组合、不太高的功率和不太低的气压 (BCl3∶ Cl2 ∶ CHCl3∶ N2 =70 sccm∶ 1 5 sccm∶ 1 0 sccm∶ 0～ 5 0 sccm,2 0 0 m Torr,2 0 0 W)可以实现细线条 (0 .6μm) Al的刻蚀。     

SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究

在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件。     

以王丽云剪纸技能大师工作室为依托打造民间手工艺术传承基地

王丽云剪纸技能大师工作室以研究、保护、传承与创新为理念,以培养剪纸技艺人才为目标,以文化创意为核心,着力打造"校园为主,机构为辅"的非遗剪纸教育培训新模式。丽云剪纸将秉承民族性、独特性、时代性、前瞻性和创新性的原则,树立精品意识,让手艺不贬值,依托网络平台做好工作室和研学馆的运营和技艺推广。     

同质企业研发竞争行为的动力学性态分析

应用非线性动力系统中的分岔和混沌理论及相关的经济学理论,建立了同质三寡头RD(研究与开发)竞争在有限理性预期下的动力学模型,分析了该系统的均衡点及其稳定性,并以投入调整速度及技术溢出水平为控制参数,分析了系统产生分岔及混沌状态的条件,进一步得到了寡头间博弈引起的利润变化性态;结合Mathematics对不同参数条件下的系统进行了数值模拟,发现当企业的RD投入调整速度过大时,系统由稳定状态进入倍周期分岔进而进入混沌状态;随着企业的技术溢出水平增大,其自身的利润下降,竞争对手的利润上升.模拟结果表明企业的利润在稳定状态下是稳定变化的,在混沌状态下则是连续波动的;当企业的投入调整速度过大时,其自身的平均利润呈下降趋势,竞争对手的平均利润呈上升趋势.     

一种测量外延层厚度及掺杂浓度的改进方法

在双台面SiGeHBT加工工艺过程中,采用RIE工艺刻蚀发射极台面时,为了避免等离子轰击对外基区表面造成损伤,同时为了防止过刻到基区,必须严格控制发射极台面的高度,从而必须准确知道未刻蚀前的厚度和刻蚀后的厚度。现有的许多对材料厚度及掺杂浓度的分析方法,具有各自的优缺点。本文提出了一种可以同时检测外延层的厚度及掺杂浓度分布的方法,这种方法具有简单、高效、低成本的优点。     

商业插画的艺术表现

商业插画中,富于创造性的构想想要找出相应的表现形式较难,有些题材往往只有某一特定的艺术形式才能得到最佳表现。绝佳的创意,最终要通过某种艺术形式表现出来。现代插画一般采用直接展示、矛盾对比、合理夸张、引发联想、诙谐幽默、象征比喻、感情渲染等手法来表现。     

氮化硅干法刻蚀工艺设备模型的试验与测量

通过对氮化硅薄膜干法刻蚀工艺实验结果的测量,得到硅片表面非均匀性分布的具体测量数据,并对这种现象的成因进行了定性的理论分析,为下一步建立刻蚀工艺设备模型准备了充足的实验数据.     

铝—RIE刻蚀工艺

干法刻铝中,ＢＣｌ３添加Ｃｌ２、ＣＨＣｌ３和Ｎ２,可改变Ａｌ的刻蚀速率、Ａｌ对ＳｉＯ２和胶的选择性、线宽和胶膜质量,其中Ｃｌ２流量影响最大。此外,本文还给出了ＲＦ功率和气压的影响。采用适当的气体组合、不太高的功率和不态低的气压（ＢＣｌ３：Ｃｌ２：ＣＨＣｌ３：Ｎ２＝７０ｓｃｃｍ：１５ｓｃｃｍ：１０ｓｃｃｍ：０￣５０ｓｃｃｍ,２００ｍＴｏｒｒ,２００Ｗ）可以实现细线条（０．６μｍ）Ａｌ的刻蚀。     

基于云平台的通信电源控制系统

利用云平台进行大数据处理与系统控制是分布式监控系统的未来发展方向。通过对通信电源系统工作原理以及云平台技术的研究,提出了基于云平台的通信电源控制系统。研究了通信电源控制系统以及基于Hadoop云平台的分布式数据存储技术,并做出了基于Linux HA的数据完整性分析。通过该平台的搭建,大大提高了通信电源系统的控制水平与控制效率。