排序方式: 共有3条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
2.
本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,设计出五位移相器,并试制了180°位样片。试制样品尺寸1.5×1.0mm2,测试结果性能良好,在2.5~5.0GHz带宽内,移相起伏小于10;°在2.6~3.5GHz带宽内,移相起伏小于5°,同设计仿真结果基本吻合。 相似文献
1