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研究杂质对无能隙和窄能隙半导体,特別是Cd_xHg_(1-x)Te固溶体性能的影响,具有重要的理论与实际意义。但要指出,杂质能级在能级图中的位置至今还不知道,晶体中杂质变化的机理也没有研究,也不了解用杂质制取p—n结的前景,只有资料[1]报导了碲镉汞中某些金属的扩散。  相似文献   
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