延续摩尔定律的新材料——应变Si

介绍了应变Si材料的需求背景和必要性.阐述了在MOS器件中使用衬底致双轴应变后器件性能的改善,在总结了与工艺致单轴应变相比衬底致双轴应变的不足以及工艺致单轴应变的优势之后,讲述了基于SiGe源漏和基于双应力线的两种工艺致单轴应变技术及其对MOS器件性能的提高.简单介绍了国际上近年来对应变Si材料与器件的研究发展状况和应变Si技术达到的各种水平,以及国内对应变Si的研究状况,并对应变Si技术的使用优势和应用前景做了简单分析.     

用全二维气相色谱-飞行时间质谱仪分析东海平湖油气田A井轻质原油的尝试

尝试采用全二维气相色谱-飞行时间质谱仪对东海平湖油气田A井花港组轻质原油进行了分析.共分离出了1784个化合物的谱峰,其中信噪比在100以上的有1643个;在nC6～nC8色谱段检测出了52个化合物,分离了9个以往技术无法分离的混合峰;在nC10～nC11色谱段检测出26个芳烃化合物;在nC10～nC13色谱段检测出了24个金刚烷类化合物.全二维气相色谱-飞行时间质谱仪具有很高的灵敏度和分辨率,若配合使用其软件的分类功能,该技术在有机地球化学研究领域会有更广阔的应用前景.     

基于应变Si/SiGe的CMOS电特性模拟研究

提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二者共用一个多晶SiGe栅电极.分析了该结构的电学特性与器件的几何结构参数和材料物理参数的关系,而且还给出了这种器件结构作为反相器的一个应用,模拟了其传输特性.结果表明所设计的垂直层叠共栅结构应变Si/SiGe HCMOS结构合理、器件性能提高.