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1.
将微量脉冲进样技术和导数火焰原子吸收法结合,建立了测定调味品中锌含量的新方法。该方法的检出限为0.013μg/mL,精密度4.46%,回收率96.67~113.33。  相似文献   
2.
我们利用透射X射线形貌技术观察了 n-GaAs衬底及 GaAs-Al_xGa_(1-x)AsDH外延片中的晶体缺陷,并且用高分辨率形貌技术与金相技术进行了对照.证明了普通X射线形貌像中的衬度是由晶体缺陷形成的.根据X射线形貌像,我们对n-GaAs衬底及GaAs-AlxGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷密度作出了评价. 采用常规的DH液相外延技术及质子轰击条形的器件工艺,将我们研究的衬底制成了激光器.测试结果表明:器件的成品率和质量与我们对衬底中缺陷密度的评价完全对应.利用X射线形貌技术挑选出的低缺陷密度的衬底,我们获得了很多性能优良的长寿命激光器.  相似文献   
3.
本文利用X射线双晶衍射和电子探针显微分析方法,研究了MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统的晶格失配与In含量x值的关系.在外延层厚度t_(?)~2μm的情况下,获得范性应变临界组份x_c=0.114.当xx_c时,外延层出现范性形变.  相似文献   
4.
将玉米面烘干、磨细、过筛,制成悬浮液,使微量悬浮液进样-导数火焰原子吸收法测定样品中铜、铁、锌。相应灵敏度、精密度和检出限分别为0.014μg/ml、3.16%和0.019μg/ml;0.017、3.90%和0.058μg/ml;0.009μg/ml,4.47%和0.013μg/ml。本方法简便、准确、灵敏度高,可以用于玉米面中铜、铁、锌含量测定。  相似文献   
5.
我们利用透射X射线形貌技术观察了n—GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的晶体缺陷,采用高分辨率形貌技术与金相技术进行了分析,证实普通X射线形貌像中的衬度是由晶体缺陷形成的。根据获得的X射线形貌像,我们对n—GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中缺陷水平作出了评价。采用常规的DH液相外延技术及质子轰击条形的器件工艺,将我们研究的衬底制成了激光器。测试结果表明:器件的成品率和质量与我们对衬底中缺陷水平的评价完全对应。  相似文献   
6.
采用质量分离的低能双离子束淀积(IBD)技术,在硅(111)衬底上共淀积,生长了氧化铈外延薄膜.椭圆偏振仪测得,膜厚2000A.俄歇能谱仪测得,外延层内铈、氧分布均匀,具有很好的正化学比.X射线双晶衍射得到明显的氧化铈(111),(222)峰,半高宽≤23″。  相似文献   
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